【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体材料，涉及一种碳化硅复合衬底及其制备方法。
技术介绍
1、单晶碳化硅衬底是一种宽禁带半导体材料，以单晶碳化硅衬底制作的器件具有耐高温、耐高压、高频、大功率、抗辐射以及效率高等优势，在射频、新能源汽车等领域具有重要的应用价值。但是单晶碳化硅材料制造周期较长且成本较高。一种降低成本的方案是采用复合衬底结构，将单晶碳化硅衬底和支撑衬底键合，以降低成本。
2、在制备碳化硅复合衬底时，通常需要对单晶碳化硅衬底和支撑衬底进行化学机械抛光(cmp)，便于后续键合。常用抛光液的磨料多为氧化铝、氧化硅和氧化铈，抛光液ph值约2-4，其中多以硝酸为ph调节剂，其存在的问题在于：(1)抛光液呈强酸性，具有强腐蚀性，抛光时容易腐蚀碳化硅衬底的表面，出现腐蚀性凹坑缺陷；且强酸性的抛光液易腐蚀抛光垫，使抛光垫沟槽快速变浅，影响抛光效果；(2)磨料在酸性抛光液中还存在易沉积和泡发变形问题，从而导致出现抛光液中磨料分布不均及磨料粒径不均的问题，影响抛光效果。而抛光效果不好的话会降低复合衬底的键合质量。因此，亟需提供一种方案能够解决上述问
【技术保护点】
1.一种碳化硅复合衬底的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述氧化剂包括高铁酸盐；
3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述抛光液的成分还包括速率促进剂；
4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，以所述抛光液的总质量为100％计，所述氧化剂的质量分数≤10％；
5.根据权利要求1-4任一项所述的制备方法，其特征在于，所述抛光采用的抛光垫的材质包括阻尼布、PU材料、聚氨酯和无纺布中的任意一种。
6.根据权利要求1-5任一项所述的制备方法，...
【技术特征摘要】
1.一种碳化硅复合衬底的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述氧化剂包括高铁酸盐；
3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述抛光液的成分还包括速率促进剂；
4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，以所述抛光液的总质量为100％计，所述氧化剂的质量分数≤10％；
5.根据权利要求1-4任一项所述的制备方法，其特征在于，所述抛光采用的抛光垫的材质包括阻尼布、pu材料、聚氨酯和无纺布中的任意一种。
6.根据权利要求1-5任一...
【专利技术属性】
技术研发人员：范博珺，刘福超，母凤文，谭向虎，
申请(专利权)人：青禾晶元天津半导体材料有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。