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本发明提供了一种碳化硅复合衬底及其制备方法。所述制备方法包括：(1)使用抛光液分别对支撑衬底的待键合面和单晶碳化硅衬底的待键合面进行抛光，得到抛光支撑衬底和抛光单晶碳化硅衬底；其中，所述抛光液的成分包括氧化剂、碳化钛、pH调节剂、分散剂和溶...该专利属于青禾晶元（天津）半导体材料有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过青禾晶元（天津）半导体材料有限公司授权不得商用。
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