THBC太阳电池结构及其制备方法技术

一种THBC太阳电池结构及其制备方法，包括：衬底、依次设置于衬底的前表面一侧的n<supgt;+</supgt;前表面场层或p<supgt;+</supgt;前漂浮结层、氧化铝钝化层和氢化氮化硅减反射层；依次设置于衬底的背表面一侧的隧穿氧化层、磷掺杂的n<supgt;+</supgt;多晶硅层、硼掺杂的p<supgt;+</supgt;非晶硅层或者微晶硅层、氢化氮化硅钝化层和金属电极。本发明专利技术利用异质结(SHJ)太阳电池具有优越的界面钝化特性，将TBC太阳电池中钝化较差的p<supgt;+</supgt;多晶硅替换为p<supgt;+</supgt;氢化非晶硅或者p<supgt;+</supgt;氢化微晶硅；同时在电池前表面插入前表面场(FSF)或者前漂浮结(FFE)，提高晶硅衬底前表面光生载流子向背面的传输距离，从而显著提高TBC太阳电池背面p<supgt;+</supgt;区域界面钝化和载流子传输性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及的是一种太阳电池领域的技术，具体是一种隧穿氧化物钝化异质结背接触(thbc)太阳电池结构及其制备方法。

技术介绍

1、隧道氧化物钝化接触背接触(tbc)太阳电池将叉指式背接触(ibc)电池与topcon电池技术相结合，利用了topcon结构低成本和高效率潜力的优势，但是，目前tbc太阳电池背面的p+多晶硅制备难度较大，限制了界面钝化和载流子收集效果的充分发挥；并且由于正面无电极，晶硅衬底所有光生载流子需要传输到背面被电极收集，增加了电池前表面附近光生载流子的收集难度。现有晶硅异质结太阳能电池的载流子传输距离较长，对硅衬底和钝化膜的质量要求较高，而现有的异质结背接触(hbc)太阳能电池则仅实现钝化功能外无法传输载流子。

技术实现思路

1、本专利技术针对现有技术存在的上述不足，提出一种thbc太阳电池结构及其制备方法，利用异质结(shj)太阳电池具有优越的界面钝化特性，将tbc太阳电池中钝化较差的p+多晶硅替换为p+氢化非晶硅或者p+氢化微晶硅；同时在电池前表面插入前表面场(fsf)或者前漂浮结(f本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种THBC太阳电池结构，其特征在于，包括：衬底、依次设置于衬底的前表面一侧的n+前表面场层或p+前漂浮结层、氧化铝钝化层和氢化氮化硅减反射层；依次设置于衬底的背表面一侧的隧穿氧化层、磷掺杂的n+多晶硅层、硼掺杂的p+非晶硅层或者微晶硅层、氢化氮化硅钝化层和金属电极。

2.根据权利要求1所述的THBC太阳电池结构，其特征是，所述的衬底为工业级晶向为(100)的n型Cz单晶硅片。

3.根据权利要求1所述的THBC太阳电池结构，其特征是，所述的前表面FFE层硼掺杂浓度范围8×1018～1×1020cm-3，掺杂结深范围0.8～2.0μm；所述的前表面FSF层磷掺杂...

【技术特征摘要】

1.一种thbc太阳电池结构，其特征在于，包括：衬底、依次设置于衬底的前表面一侧的n+前表面场层或p+前漂浮结层、氧化铝钝化层和氢化氮化硅减反射层；依次设置于衬底的背表面一侧的隧穿氧化层、磷掺杂的n+多晶硅层、硼掺杂的p+非晶硅层或者微晶硅层、氢化氮化硅钝化层和金属电极。

2.根据权利要求1所述的thbc太阳电池结构，其特征是，所述的衬底为工业级晶向为(100)的n型cz单晶硅片。

3.根据权利要求1所述的thbc太阳电池结构，其特征是，所述的前表面ffe层硼掺杂浓度范围8×1018～1×1020cm-3，掺杂结深范围0.8～2.0μm；所述的前表面fsf层磷掺杂浓度范围5×1019～1×1021cm-3，掺杂结深范围1.0～2.5μm。

4.一种权利要求1-3中任一所述thbc太阳电池结构的制备方法，其特征在于，将预处...

【专利技术属性】
技术研发人员：沈文忠，丁东，李正平，黄环佩，
申请(专利权)人：上海交通大学，
类型：发明
国别省市：