【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体抛光，尤其是涉及一种抛光设备。
技术介绍
1、在半导体制造领域，硅片作为集成电路的基础材料，其表面质量对器件性能至关重要。cmp（化学机械抛光）技术作为硅片最终抛光的关键工艺，能够有效去除硅片表面的微观不平整和残余杂质，提高硅片表面的平整度和光滑度。随着半导体技术的不断发展，对cmp设备和工艺的要求也日益提高。cmp（化学机械抛光）技术作为硅片最终抛光的关键工艺，对硅片的表面质量有着至关重要的影响。然而，在cmp设备中，颗粒度较高的问题一直是一个技术挑战。这些小颗粒主要来源于抛光过程中使用的磨料、抛光垫的磨损、设备内部的尘埃以及化学溶液中的杂质等。
2、现有技术中，一般会通过空气过滤的方式对cmp设备内的颗粒进行去除。然而，这种方法虽然在一定程度上能够减少颗粒污染，但在cmp设备的上料室、下料室以及加工室中，由于交互过程的存在，空气交换难以避免，从而在不同空间中形成空气或颗粒污染。这种污染不仅会影响硅片的抛光质量，还可能导致硅片的划伤和污染，进而降低半导体器件的性能和可靠性。
3、因此，现有技术的...
【技术保护点】
1.一种抛光设备，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的一种抛光设备，其特征在于，所述第一过滤组件为第一FFU，所述第二过滤组件为第二FFU，所述第二FFU过滤效率等级大于所述第一FFU。
3.根据权利要求1所述的一种抛光设备，其特征在于，所述设备主体还包括：
4.根据权利要求3所述的一种抛光设备，其特征在于，在铺设抛光垫时，所述抛光盘和抛光垫之间形成一夹角空间；所述抛光设备还包括除尘机构，所述除尘机构用对夹角空间除尘，所述除尘机构包括：
5.根据权利要求3所述的一种抛光设备，其特征在于，所述载体为圆柱体，所述承载...
【技术特征摘要】
1.一种抛光设备，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的一种抛光设备，其特征在于，所述第一过滤组件为第一ffu，所述第二过滤组件为第二ffu，所述第二ffu过滤效率等级大于所述第一ffu。
3.根据权利要求1所述的一种抛光设备，其特征在于，所述设备主体还包括：
4.根据权利要求3所述的一种抛光设备，其特征在于，在铺设抛光垫时，所述抛光盘和抛光垫之间形成一夹角空间；所述抛光设备还包括除尘机构，所述除尘机构用对夹角空间除尘，所述除尘机构包括：
5.根据权利要求3所述的一种抛光设备，其特征在于，所述载体为圆柱体，所述承载面为圆柱体的圆弧侧面；所述载体具有多个气囊，所述气囊呈长直状，所述气囊设置于所述载体的承载面上，所述气囊与所述载体的轴向平行或基本平行。
6.根据权利要求5所述的一种抛光设备，其特征在于，所述载体内部中空，且所述载体的承载面上设置有多个安装通道，所述安装通道和所述载体的内部连通，所述气囊沿载体的截面半径方向上活动连接于所述安装通道上，使得所述气囊可沿载体的截面半径方向活...
【专利技术属性】
技术研发人员：朱亮，李阳健，郑猛，黄金涛，韩鹏飞，
申请(专利权)人：浙江求是半导体设备有限公司，
类型：发明
国别省市：
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