一种反极性红光LED芯片及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种反极性红光LED芯片及其制备方法，涉及半导体器件技术领域，该制备方法包括：提供P面外延层；在P面外延层远离打线电极的表面制作导电柱；在导电柱的外围制作介质层，使介质层覆盖于P面外延层远离打线电极的表面并将导电柱包裹；对介质层进行腐蚀，得到大于打线电极直径的介质层通孔；在介质层通孔内与介质层远离P面外延层的表面沉积ITO材料，得到透明导电层；在透明导电层远离介质层的表面蒸镀反光金属材料，得到镜面层；将镜面层键合至背面具有N电极的衬底基板之上。本发明专利技术解决了现有技术中SiO<subgt;2</subgt;介质层的应力较大，AuZn和SiO<subgt;2</subgt;介质层之间的粘附性较差，在终端打线过程容易出现键合脱层现象的技术问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体器件，具体涉及一种反极性红光led芯片及其制备方法。

技术介绍

1、反极性红光发光二极管芯片，又称rs红光芯片，从研发至量产阶段，在实际的终端使用过程中，经常会出现打线后掉外延层的问题，目前现有的技术主要是以auzn和sio2形成镜面层，用来反射量子阱层发出来的光，但在实际终端运用过程中，经常会出现auzn和sio2之间脱层，导致芯片死灯或者暗亮。

2、这是由于按照目前工艺制作rs红光芯片，sio2介质层的应力较大，导致auzn和sio2介质层之间的粘附性较差，导致在终端打线过程容易出现键合脱层现象。

技术实现思路

1、针对现有技术的不足，本专利技术的目的在于提供一种反极性红光led芯片及其制备方法，旨在解决现有技术中sio2介质层的应力较大，导致auzn和sio2介质层之间的粘附性较差，导致在终端打线过程容易出现键合脱层现象的技术问题。

2、本专利技术的第一方面在于提供一种反极性红光led芯片的制备方法，所述制备方法包括：

3、提供p面外延层；

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【技术保护点】

1.一种反极性红光LED芯片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：

2.根据权利要求1所述的反极性红光LED芯片的制备方法，其特征在于，在所述P面外延层远离打线电极的表面制作导电柱的步骤，包括：

3.根据权利要求1所述的反极性红光LED芯片的制备方法，其特征在于，在所述导电柱的外围制作介质层，使所述介质层覆盖于所述P面外延层远离所述打线电极的表面并将所述导电柱包裹的步骤，包括：

4.根据权利要求3所述的反极性红光LED芯片的制备方法，其特征在于，在向所述反应室内通入硅烷气体时，通入流量为280sccm-320sccm，所述腔体温度为280℃-320...

【技术特征摘要】

1.一种反极性红光led芯片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：

2.根据权利要求1所述的反极性红光led芯片的制备方法，其特征在于，在所述p面外延层远离打线电极的表面制作导电柱的步骤，包括：

3.根据权利要求1所述的反极性红光led芯片的制备方法，其特征在于，在所述导电柱的外围制作介质层，使所述介质层覆盖于所述p面外延层远离所述打线电极的表面并将所述导电柱包裹的步骤，包括：

4.根据权利要求3所述的反极性红光led芯片的制备方法，其特征在于，在向所述反应室内通入硅烷气体时，通入流量为280sccm-320sccm，所述腔体温度为280℃-320℃。

5.根据权利要求1所述的反极性红光led芯片的制备方法，其特征在于，在所述介质层通孔内与所述介质层远离所述p面外延层...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭磊，文国昇，金从龙，
申请(专利权)人：江西耀驰科技有限公司，
类型：发明
国别省市：