低成本电池硅片的制作方法、系统及计算机设备技术方案

本发明专利技术涉及太阳能电池技术领域，尤其是涉及一种低成本电池硅片的制作方法、系统及计算机设备。包括对电池硅片进行预处理、掺杂处理、沉积导电膜后，得到含复合膜的电池硅片；烘干处理后印刷感光油墨或湿膜、曝光、显影处理，得到带铜底部沟槽图形的电池硅片；采用接触式印刷将银浆料填入显影后的N\P面沟槽中，使的整个电池片只有沟槽中有银浆，从而可以依据沟槽形貌得到相同截面的银栅线；最终固化处理得到低成本的电池硅片。本发明专利技术实施例的低成本电池硅片的制作方法，一方面可以节省浆料的使用；另一方面可以得到小线宽的栅线，从而提高ISC和转换效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及太阳能电池，尤其是涉及一种低成本电池硅片的制作方法、系统及计算机设备。

技术介绍

1、异质结电池的主要原料之一为低温银浆，伴随全球光伏装机规模逐步扩大，银浆消耗逐步受到产业界的重视；目前全球每年金属银产量在3万吨左右，且近10年的产量情况比较稳定。现阶段全球光伏用银占到全球银产量的10%左右，如果全球光伏新增装机量达到1000gw以上，预计银耗量会达到全球银产量的50%以上，如果行业坚持现有的技术路线，则银价失控将成为可能；因此对异质结电池降本，单片银浆的使用量必须降低。

2、现有技术中的电池硅片制作工艺都是通过1道或多道丝网印刷，将银栅线（主细栅）丝印在电池的n\p面，传统丝印后的银栅线截面成山峰状，底部较宽（约为30~35um），高度比较矮（约为9-10um），高宽比只有0.3左右，此工艺制作出来的硅片银浆使用量较多，硅片的转换效率低。

3、除此之外，现有技术中的电池硅片制作工艺中采用的是昂贵的进口光刻胶，且光刻的均胶机同样造价昂贵，对于电池硅片的制作车间环境同样要求较高，诸如此类等均会导致在量产制作电池硅片的成本本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.低成本电池硅片的制作方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的低成本电池硅片的制作方法，其特征在于，对电池硅片进行预处理具体包括将电池硅片放置于浓度为0.5%～10%、温度在50℃～90℃的KOH或NaOH溶液中进行反应1min～20min，通过碱对硅的各向异性刻蚀机理在硅片表面形成金字塔陷光结构。

3.根据权利要求1所述的低成本电池硅片的制作方法，其特征在于，步骤S100中，所述符合第一预设条件需同时满足以下条件：

4.根据权利要求1所述的低成本电池硅片的制作方法，其特征在于，步骤S100中，所述清洗具体为采用HF溶液去除对硅片正背面进行...

【技术特征摘要】

1.低成本电池硅片的制作方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的低成本电池硅片的制作方法，其特征在于，对电池硅片进行预处理具体包括将电池硅片放置于浓度为0.5%～10%、温度在50℃～90℃的koh或naoh溶液中进行反应1min～20min，通过碱对硅的各向异性刻蚀机理在硅片表面形成金字塔陷光结构。

3.根据权利要求1所述的低成本电池硅片的制作方法，其特征在于，步骤s100中，所述符合第一预设条件需同时满足以下条件：

4.根据权利要求1所述的低成本电池硅片的制作方法，其特征在于，步骤s100中，所述清洗具体为采用hf溶液去除对硅片正背面进行清洗，去除表面金属离子污染，此时形成了正背面绒面结构。

5.根据权利要求1所述的低成本电池硅片的制作方法，其特征在于，步骤s200中，所述电池硅片的正面和背面的本征非晶硅厚度均为2nm～20nm，位于所述电池硅片正面的磷掺杂非晶硅厚度为2nm～20nm，位于所述电池硅片背面的硼掺杂非晶硅厚度为2nm～20nm。

6.根据权利要求1所述的低成本电池硅片的制作...

【专利技术属性】
技术研发人员：简建明，田宏波，李世岚，王伟，宿世超，宫元波，刘刚，黎力，
申请(专利权)人：国电投新能源科技有限公司，
类型：发明
国别省市：