【技术实现步骤摘要】
本申请涉及光电器件,尤其涉及一种垂直腔面发射激光器及其制备方法。
技术介绍
1、垂直腔面发射激光器(vertical cavity surface emitting laser,vcsel)是一种半导体微腔激光器,相较于传统的边发射激光器,垂直腔面发射激光器由于具有低阈值电流、体积小、圆对称光斑易于光纤耦合、高光束质量、单纵模、面发射易于集成等优势,在近年来得到了迅猛的发展,广泛应用于人脸识别等三维传感、光通信、激光雷达、无人驾驶等领域中。
2、目前发展最为成熟和得到广泛应用的是氧化限制型的vcsel,其结构参考图1所示,主要由有源层、上下限制层、上下反射层、氧化限制层和上下电极组成。其中,有源层由多量子阱组成;有源层上下两侧是限制层,限制层既起到限制载流子的作用,又起到调节腔长的作用;限制层上下两侧分别是p型dbr(distributed bragg reflection,分布式布拉格反射)反射层和n型dbr反射层,p型dbr反射层和n型dbr反射层分别是用折射率不同的两种材料以1/4光学波长厚度反复堆积而成,通过调节两种
...【技术保护点】
1.一种垂直腔面发射激光器,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的垂直腔面发射激光器,其特征在于,第i组所述DBR反射层组中各个所述反射单元的所述第二折射率层的P组分相等;
3.根据权利要求1所述的垂直腔面发射激光器,其特征在于,所述反射单元还包括:
4.根据权利要求1-3任一项所述的垂直腔面发射激光器,其特征在于,所述衬底为N型GaAs衬底。
5.根据权利要求1-3任一项所述的垂直腔面发射激光器,其特征在于,所述衬底为N型Ge衬底,所述N型Ge衬底的晶向为100面偏111面大于等于2°;
6.根据权利
...【技术特征摘要】
1.一种垂直腔面发射激光器,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的垂直腔面发射激光器,其特征在于,第i组所述dbr反射层组中各个所述反射单元的所述第二折射率层的p组分相等;
3.根据权利要求1所述的垂直腔面发射激光器,其特征在于,所述反射单元还包括:
4.根据权利要求1-3任一项所述的垂直腔面发射激光器,其特征在于,所述衬底为n型gaas衬底。
5.根据权利要求1-3任一项所述的垂直腔面发射激光器,其特征在于,所述衬底为n型ge衬底,所述n型ge衬底的晶向为100面偏111面大于等于2°;
6.根据权利要求5所述的垂直腔面发射激光器,其特征在于,...
【专利技术属性】
技术研发人员:吴真龙,何剑,
申请(专利权)人:扬州乾照光电有限公司,
类型:发明
国别省市:
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。