【技术实现步骤摘要】
本申请涉及晶圆加工,具体涉及一种激光裂片方法及其装置。
技术介绍
1、碳化硅由于其优异的物理和化学性能,如高硬度、高熔点、良好的热导率和低热膨胀系数,广泛应用于半导体制造、航天航空和其他高新科技领域。碳化硅的这些优点也使得碳化硅在传统加工方法下难以处理。传统的机械加工方法容易导致工具磨损和加工不均匀,且难以满足高精度和高效率的要求。
2、超短脉冲激光,尤其是飞秒激光,具有极短的脉冲和高峰值功率,能够在极短的时间内将大量能量集中在一个微小的区域内。由于脉宽短于电子晶格的热弛豫时间,飞秒激光的能量主要通过非热过程(如场效应)传递到材料中。这种情况下,电子吸收激光光子能量后无法通过声子作用传递到晶格,从而不会发生显著的晶格热传递现象。因此,这种“冷加工”显著减少了热影响区,提高了加工精度和表面质量。
3、在超短脉冲与碳化硅相互作用的过程中,损伤阈值是一个至关重要的参数。损伤阈值定义为材料表面开始出现可见损伤所需的最低激光能量密度。确定并控制损伤阈值对于优化激光加工参数,提高加工效率和质量具有重要意义。
4、
...【技术保护点】
1.一种激光裂片方法,其特征在于,包括如下步骤:
2.如权利要求1所述的激光裂片方法,其特征在于:所述第一电场沿所述超短脉冲激光方向。
3.如权利要求1所述的激光裂片方法,其特征在于:所述第二电场沿所述短脉冲激光或连续激光照射方向。
4.如权利要求1所述的激光裂片方法,其特征在于:所述第一电场和所述第二电场为交变电场。
5.如权利要求4所述的激光裂片方法,其特征在于:所述第一电场的强度大于所述第二电场的强度。
6.如权利要求5所述的激光裂片方法,其特征在于:所述第一电场的频率大于所述第二电场的频率。
< ...【技术特征摘要】
1.一种激光裂片方法,其特征在于,包括如下步骤:
2.如权利要求1所述的激光裂片方法,其特征在于:所述第一电场沿所述超短脉冲激光方向。
3.如权利要求1所述的激光裂片方法,其特征在于:所述第二电场沿所述短脉冲激光或连续激光照射方向。
4.如权利要求1所述的激光裂片方法,其特征在于:所述第一电场和所述第二电场为交变电场。
5.如权利要求4所述的激光裂片方法,其特征在于:所述第一电场的强度大于所述第二电场的强度。
6.如权利要求5所述的激光裂片方法,其特征在于:所述第一电场的频率大于所述第二电场的频率。
7.一种激光...
【专利技术属性】
技术研发人员:许建强,施龙献,郝建坤,
申请(专利权)人:北京晶飞半导体科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
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