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本申请涉及晶圆加工技术领域,具体涉及一种激光裂片方法及其装置。本发明的激光裂片方法包括:步骤1、应用超短脉冲照射晶锭,在晶锭内部形成初始裂纹时,在晶锭内部施加第一电场;步骤2、应用短脉冲激光或连续激光照射晶锭,在晶锭内部扩展初始裂纹时,在晶...该专利属于北京晶飞半导体科技有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过北京晶飞半导体科技有限公司授权不得商用。
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本申请涉及晶圆加工技术领域,具体涉及一种激光裂片方法及其装置。本发明的激光裂片方法包括:步骤1、应用超短脉冲照射晶锭,在晶锭内部形成初始裂纹时,在晶锭内部施加第一电场;步骤2、应用短脉冲激光或连续激光照射晶锭,在晶锭内部扩展初始裂纹时,在晶...