【技术实现步骤摘要】
本申请涉及晶圆研磨，尤其是指一种陶瓷盘面型的研磨方法。
技术介绍
1、在现有技术中，半导体晶圆加工普遍经过如下流程：晶体磨平—晶体多线切割—晶圆研磨—晶圆抛光—清洗检测封装。目前主流的加工技术均使用单面抛光机进行晶圆的抛光，即设备的施压模块将压力传导至设备压头，设备压头将贴好晶圆的陶瓷盘压在承载盘上，承载盘上布满抛光液，陶瓷盘与承载盘分别自转，通过压力和转动使得晶圆表面与抛光液中的磨料成分发生研磨切削，从而达到表面去除的目的。
2、现有的研磨方法以及研磨所使用的陶瓷盘无法针对晶圆抛光所需的面型进行工艺调整。用于晶圆抛光的陶瓷盘需要满足较高的精度，因此生产、加工该陶瓷盘的加工设备也需要较高的精度，才可以加工出高精度的陶瓷盘。现亟待提出一种较为有效的陶瓷盘加工方法，在不借助高精度加工设备的前提下，能够加工出精度较高的陶瓷盘，以降低陶瓷盘的生产成本。
技术实现思路
1、为了解决现有技术的不足，本申请的目的在于提供一种陶瓷盘面型的研磨方法，基于此方法能够使用精度较低的陶瓷盘研磨设备，加...
【技术保护点】
1.一种陶瓷盘面型的研磨方法，所述研磨方法应用于陶瓷盘研磨设备，所述陶瓷盘研磨设备包括基座、旋转组件和磨削组件，所述旋转组件安装于所述基座的上方，并具有沿高度方向延伸的轴线，所述旋转组件能够带动所述陶瓷盘围绕所述轴线转动；所述磨削组件固定于所述基座，所述磨削组件包括位于所述旋转组件上方的磨盘，所述磨盘被配置成与所述陶瓷盘贴合，以对所述陶瓷盘的表面研磨，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的陶瓷盘面型的研磨方法，其特征在于，所述加工数据包括以下数据中的至少之一：
3.根据权利要求2所述的陶瓷盘面型的研磨方法，其特征在于，将所述面型信...
【技术特征摘要】
1.一种陶瓷盘面型的研磨方法，所述研磨方法应用于陶瓷盘研磨设备，所述陶瓷盘研磨设备包括基座、旋转组件和磨削组件，所述旋转组件安装于所述基座的上方，并具有沿高度方向延伸的轴线，所述旋转组件能够带动所述陶瓷盘围绕所述轴线转动；所述磨削组件固定于所述基座，所述磨削组件包括位于所述旋转组件上方的磨盘，所述磨盘被配置成与所述陶瓷盘贴合，以对所述陶瓷盘的表面研磨，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的陶瓷盘面型的研磨方法，其特征在于，所述加工数据包括以下数据中的至少之一：
3.根据权利要求2所述的陶瓷盘面型的研磨方法，其特征在于，将所述面型信息输入预先建立的计算模型中，以获得加工数据，包括：
4.根据权利要求3所述的陶瓷盘面型的研磨方法，其特征在于，将所述面型信息输入预先建立的计算模型中，以获得加工数据，还包括：
5.根据权利要求1所述的陶瓷盘面型的研磨方法，其特征在于，所述陶瓷盘包括相对设置的第一表面和第二表面；所述磨盘对所述陶瓷盘的表面进行研磨，包括：
6.根据权利要求...
【专利技术属性】
技术研发人员：张俊，刘水文，朱平安，王巍，王嘉梁，
申请(专利权)人：浙江求是半导体设备有限公司，
类型：发明
国别省市：
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