【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，特别是涉及一种快速判断晶圆表面亲疏水性的方法。
技术介绍
1、目前半导体所用的晶圆，其主要成分为二氧化硅，其化学结构中不包含亲水基团，如羟基或羧基，这些基团通常使物质表面具有亲水性，所以晶圆表面具有高度的疏水性。
2、晶圆表面的亲水性与疏水性，是一个很容易被人忽视的点，可能影响到整个芯片的性能。从光刻胶涂敷，到清洗湿润，或者制备某些薄膜，都需要适配合适的表面亲疏水性。
3、请参阅图1，目前常用的测定亲疏水性的方法为接触角测量法。接触角是指液体与固体表面相接触形成的夹角。亲水性表面接触角小于90度，疏水性表面接触角大于90度。通过测量接触角可以得知固体表面的亲疏水性。该方法的话，需要专业工具及方法，较为复杂。
4、,为解决上述问题，需要提出一种新型的快速判断晶圆表面亲疏水性的方法。
技术实现思路
1、鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种快速判断晶圆表面亲疏水性的方法，用于解决现有技术中测量接触角获取固体表面的亲疏水...
【技术保护点】
1.一种快速判断晶圆表面亲疏水性的方法，其特征在于，至少包括：
2.根据权利要求1所述的快速判断晶圆表面亲疏水性的方法，其特征在于：步骤一中的所述前层结构为晶圆或形成于所述晶圆上的薄膜。
3.根据权利要求3所述的快速判断晶圆表面亲疏水性的方法，其特征在于：步骤一中的所述薄膜的材料为氧化层或氮化层。
4.根据权利要求1所述的快速判断晶圆表面亲疏水性的方法，其特征在于：步骤一中的所述增粘剂的材料包括六甲基二硅氮烷，其作用为通过与所述晶圆表面的羟基反应，将所述晶圆表面由亲水性变为疏水性，以提高所述光刻胶层与所述晶圆间的粘附性。
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