温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。
本发明提供一种快速判断晶圆表面亲疏水性的方法,提供待检测亲疏水性的前层结构,在前层结构进行旋涂光刻胶之前需去除增粘剂或不形成增粘剂;在前层结构上形成光刻胶层;选取透光率高于预设值的掩膜版,掩膜版上包括特定图形,特定图形能够根据亲疏水性呈现出...该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。
温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。
本发明提供一种快速判断晶圆表面亲疏水性的方法,提供待检测亲疏水性的前层结构,在前层结构进行旋涂光刻胶之前需去除增粘剂或不形成增粘剂;在前层结构上形成光刻胶层;选取透光率高于预设值的掩膜版,掩膜版上包括特定图形,特定图形能够根据亲疏水性呈现出...