【技术实现步骤摘要】
本说明书涉及半导体制造，尤其涉及一种膜厚值获取方法、装置、介质、设备和程序产品。
技术介绍
1、晶圆是半导体行业的基础性原材料，它在半导体制造过程中扮演着极其重要的角色。在晶圆生产过程中，可以通过沉积或者涂覆的方法在晶圆的基片表面覆盖一层薄膜，薄膜的膜厚对半导体的期间的性能和稳定性起着关键作用。
2、如何确定膜厚是亟待解决的问题。
技术实现思路
1、为克服相关技术中存在的问题，本说明书提供了一种膜厚值获取方法、装置、介质、设备和程序产品。
2、根据本说明书实施例的第一方面，提供一种膜厚值获取方法，所述方法包括：
3、获取晶圆上离散的多个位置点的膜厚测量值；
4、根据所述多个位置点的膜厚测量值，确定所述多个位置点的曲率值；
5、利用所述多个位置点的曲率值和膜厚测量值进行插值，得到所述晶圆上除所述多个位置点之外的其余位置点的膜厚值；所述多个位置点的曲率值用于约束插值得到的所述其余位置点的膜厚值的变化趋势。
6、根据本说明书...
【技术保护点】
1.一种膜厚值获取方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述多个位置点的膜厚测量值，确定所述多个位置点的曲率值，包括：
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述利用所述多个位置点的曲率值和膜厚测量值进行插值，得到所述晶圆上除所述多个位置点之外的其余位置点的膜厚值，包括：
4.根据权利要求1-3任一项所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
5.根据权利要求1-3任一项所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
6.根据权利要求5所示的方法，其特征在于，所述方法
【技术特征摘要】
1.一种膜厚值获取方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述多个位置点的膜厚测量值，确定所述多个位置点的曲率值，包括：
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述利用所述多个位置点的曲率值和膜厚测量值进行插值，得到所述晶圆上除所述多个位置点之外的其余位置点的膜厚值，包括：
4.根据权利要求1-3任一项所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
5.根据权利要求1-3任一项所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
【专利技术属性】
技术研发人员：白肖艳，蔡雨桐，易丛文，夏敏，管健，
申请(专利权)人：深圳智现未来工业软件有限公司，
类型：发明
国别省市：
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