一种引线框架镀银层去除及其键合方法技术

本发明专利技术提供一种引线框架镀银层去除及其键合方法，引线框架镀银层去除方法包括：S1，根据键合图，确定引线框架表面需要保留的镀银层键合区域；S2，对引线框架表面除镀银层键合区域外的镀银区域进行激光烧蚀；S3，对S2得到的引线框架进行去氧化处理，然后进行清洗。本发明专利技术按照封装键合图所需的键合面积确定预留的镀银层键合区域，通过激光烧蚀的方法对预留的镀银层键合区域之外的其他镀银区域进行烧蚀，去除非必要的镀银区域，实现定制化镀银区域引线框架的制备，达到点区域镀银框架的效果。本发明专利技术在快速、简易实现普通载体全镀银、环镀银引线框架变为点区域镀银框架的同时，降低传统点区域镀银框架定制化属性强、成本高、周期长等问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体集成电路封装测试领域，涉及一种引线框架镀银层去除及其键合方法。

技术介绍

1、半导体封装所用的引线框架基材为铜，但是铜容易氧化不利于封装键合，因此，通常会在特定的区域镀覆有镀银层。镀银层主要用作键合区域，实现芯片键合焊盘与引线框架镀银键合区域的互连，完成芯片与引线框架的电气连接。在引线框架制作环节，镀银需要专用的镀银掩膜模具，为了实现引线框架应对各种键合图的通用性，镀银掩膜模具开窗较大，导致镀银区域比较大，常见有载体全镀银、双环镀银、单环镀银等区域模式。此外还有点区域镀银，即在需要键合的区域进行镀银，镀银区域略大于键合所需的面积。点区域镀银需要专用的镀银掩膜模具，通用性不强。在封装工艺过程中，不同的键合图对镀银区要求不一样，通常存在镀银区域过大的问题，即镀银层键合区域明显小于镀银层的面积。

2、镀银层的区域面积过大，不利于半导体封装塑封器件的可靠性，主要是因为塑粉料与镀银层的结合力约是塑粉料与引线框架铜基材结合力的50％。对于载体全镀银引线框架，框架载体表面全部镀银、框架内引线尖端镀银，镀银区域的面积占据塑封体内框架总面积的本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种引线框架镀银层去除方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的引线框架镀银层去除方法，其特征在于，S1中，所述镀银层键合区域按照长方形或正方形设定，宽度为框架键合点同方向尺寸的2倍以上且5倍以下，长度为框架键合点同方向尺寸的2倍以上且5倍以下。

3.根据权利要求1所述的引线框架镀银层去除方法，其特征在于，S2中，所述激光烧蚀采用的激光为紫外激光。

4.根据权利要求3所述的引线框架镀银层去除方法，其特征在于，S2中，所述紫外激光的波长为355nm。

5.根据权利要求1所述的引线框架镀银层去除方法，其特征在于，S2中，所述激光烧蚀...

【技术特征摘要】

1.一种引线框架镀银层去除方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的引线框架镀银层去除方法，其特征在于，s1中，所述镀银层键合区域按照长方形或正方形设定，宽度为框架键合点同方向尺寸的2倍以上且5倍以下，长度为框架键合点同方向尺寸的2倍以上且5倍以下。

3.根据权利要求1所述的引线框架镀银层去除方法，其特征在于，s2中，所述激光烧蚀采用的激光为紫外激光。

4.根据权利要求3所述的引线框架镀银层去除方法，其特征在于，s2中，所述紫外激光的波长为355nm。

5.根据权利要求1所述的引线框架镀银层去除方法，其特征在于，s2中，所述激光烧蚀采用的功率为20w～40w。

6.根据权利要求1所述的引线框架镀银层去除方法，其特征在于，s2中，所述激光烧蚀的速率为600mm/s～1200m...

【专利技术属性】
技术研发人员：周少明，达旭娟，刘江，
申请(专利权)人：郑州兴航科技有限公司，
类型：发明
国别省市：