【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉半导体，尤其涉及一种新型vdmos及制备方法。
技术介绍
1、在电力电子器件
，mosfet作为一种常用的功率半导体，已经代替三极管成为功率半导体领域最常用的开关器件之一。mosfet在几十年的迭代过程中，提高功率密度始终是其发展的主要方向之一，减小单位面积的导通电阻值是提升器件功率密度最有效的方法，也是mosfet最主要大的研发方向之一。
2、vdmos作为mosfet的一类，通常应用在高压器件中，目前业界针对vdmosfet导通电阻降低的措施主要是减小cellpitch和采用超结结构，随着工艺精度的提高，常规结构vdmosfet的cellpitch近年来已经减小到理论极限，这主要是因为随着cellpitch不断减小，p体区夹持的n-耐压区宽度越来越低，该区域的电阻即jfet电阻会上升，随着cellpitch逼近极限，减小cellpitch带来的导通电阻降低和jfet电阻上升导致导通电阻上升达到平衡，继续缩小cellpitch器件的整体电阻反而会上升，因此必须采取新技术和新结构，来达到进一步降低其导通电阻
【技术保护点】
1.一种新型VDMOS制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种新型VDMOS制备方法，其特征在于，步骤S100包括：
3.根据权利要求1或2所述的一种新型VDMOS制备方法，其特征在于，所述P体区（2）的厚度为1-20um，间隔距离为1-10um。
4.根据权利要求1所述的一种新型VDMOS制备方法，其特征在于，步骤S200包括：
5.根据权利要求1或4所述的一种新型VDMOS制备方法，其特征在于，所述N+源区（3）和N+低阻区（4）的厚度分别为0.5-10um。
6.根据权利要求1...
【技术特征摘要】
1.一种新型vdmos制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种新型vdmos制备方法，其特征在于，步骤s100包括：
3.根据权利要求1或2所述的一种新型vdmos制备方法，其特征在于，所述p体区（2）的厚度为1-20um，间隔距离为1-10um。
4.根据权利要求1所述的一种新型vdmos制备方法，其特征在于，步骤s200包括：
5.根据权利要求1或4所述的一种新型vdmos制备方法，其特征在于，所述n+源区（3）和n+低阻区（4）的厚度分别为0.5-10um。
6.根据权利要求1所述的一种新型vdmos制备方法，其特征在于，步骤s30...
【专利技术属性】
技术研发人员：代书雨，周理明，王毅，
申请(专利权)人：扬州扬杰电子科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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