半导体模块制造技术

技术编号:43382203 阅读:23 留言:0更新日期:2024-11-19 17:58
一种半导体模块,包含IGBT装置和MISFET装置,该MISFET装置与所述IGBT装置构成并联电路。所述半导体模块在小于所述IGBT装置的内建电压的电压范围内生成所述MISFET装置的漏极电流,在所述内建电压以上的电压范围内生成所述IGBT装置的集电极电流和所述MISFET装置的漏极电流。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本申请主张了基于2022年3月31日提交的日本专利申请2022-061318号的优先权,本申请的全部内容通过引用并入其中。本专利技术涉及包含igbt装置以及与该igbt装置构成并联电路的misfet装置的半导体模块


技术介绍

1、专利文献1公开了一种功率晶体管驱动装置,其具有:包含缘栅型双极晶体管和场效应型晶体管的并联电路。场效应晶体管在绝缘栅型双极晶体管被控制为导通状态之后,被控制为导通状态。

2、现有技术文献

3、专利文献

4、专利文献1:美国专利申请公开第2018/0138904号说明书


技术实现思路

1、专利技术要解决的课题

2、一实施方式提供一种能够提高电气特性的半导体模块。

3、用于解决课题的手段

4、一实施方式提供一种半导体模块,包含:igbt装置;以及misfet装置,其与所述igbt装置构成并联电路,在小于所述igbt装置的内建电压的电压范围内生成所述misfet装置的漏极电流,在所述内建电压以上的电压范围内生成所述i本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体模块,包含:

2.根据权利要求1所述的半导体模块,其中,

3.根据权利要求2所述的半导体模块,其中,

4.根据权利要求1~3中任一项所述的半导体模块,其中,

5.根据权利要求4所述的半导体模块,其中,

6.根据权利要求4或5所述的半导体模块,其中,

7.根据权利要求6所述的半导体模块,其中,

8.根据权利要求4~7中任一项所述的半导体模块,其中,

9.根据权利要求4~7中任一项所述的半导体模块,其中,

10.根据权利要求1~9中任一项所述的半导体模块,其中,

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【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种半导体模块,包含:

2.根据权利要求1所述的半导体模块,其中,

3.根据权利要求2所述的半导体模块,其中,

4.根据权利要求1~3中任一项所述的半导体模块,其中,

5.根据权利要求4所述的半导体模块,其中,

6.根据权利要求4或5所述的半导体模块,其中,

7.根据权利要求6所述的半导体模块,其中,

8.根据权利要求4~7中任一项所述的半导体模块,其中,

9.根据权利要求4~7中任一项所述的半导体模块,其中,

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【专利技术属性】
技术研发人员:梅木真也
申请(专利权)人:罗姆股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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