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一种半导体模块，包含IGBT装置和MISFET装置，该MISFET装置与所述IGBT装置构成并联电路。所述半导体模块在小于所述IGBT装置的内建电压的电压范围内生成所述MISFET装置的漏极电流，在所述内建电压以上的电压范围内生成所述IGB...
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