【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及三维电极探测器，更为具体地说，涉及一种三维电极探测器及其制作方法。
技术介绍
1、三维电极探测器由于其优异的响应速度、抗辐射性能、全耗尽电压低以及与集成度高等性能优势，在大科学装置、航天航空、核医学等辐射领域的高能粒子或x射线光子探测方面具有良好应用前景。但是，现有的三维电极探测器的制作工艺较为复杂，可实现性较差。
技术实现思路
1、有鉴于此，本专利技术提供了一种三维电极探测器及其制作方法，有效解决现有技术存在的技术问题，简化了三维电极探测器的制作工艺，使得其可实现性较好。
2、为实现上述目的，本专利技术提供的技术方案如下：
3、一种三维电极探测器的制作方法，制作方法包括：
4、提供衬底结构，所述衬底结构包括依次叠加的半导体底层、中间介质埋层和半导体顶层；
5、对所述半导体顶层的表面进行离子注入掺杂，形成多个保护环掺杂部及位于所述保护环掺杂部中的中间掺杂部；
6、在所述保护环掺杂部外侧对所述半导体顶层进行刻蚀，直至裸...
【技术保护点】
1.一种三维电极探测器的制作方法，其特征在于，制作方法包括：
2.根据权利要求1所述的三维电极探测器的制作方法，其特征在于，在形成所述边缘连接电极和所述中间连接电极之后，制作方法还包括：
3.根据权利要求1所述的三维电极探测器的制作方法，其特征在于，所述在所述保护环掺杂部外侧对所述半导体顶层进行刻蚀，直至裸露所述中间介质埋层而形成相互间隔的多个单体结构，包括：
4.根据权利要求1所述的三维电极探测器的制作方法，其特征在于，所述在所述单体结构和所述中间介质埋层的裸露面外侧掺杂形成初始掺杂部，包括：
5.根据权利要求1所述的...
【技术特征摘要】
1.一种三维电极探测器的制作方法，其特征在于，制作方法包括：
2.根据权利要求1所述的三维电极探测器的制作方法，其特征在于，在形成所述边缘连接电极和所述中间连接电极之后，制作方法还包括：
3.根据权利要求1所述的三维电极探测器的制作方法，其特征在于，所述在所述保护环掺杂部外侧对所述半导体顶层进行刻蚀，直至裸露所述中间介质埋层而形成相互间隔的多个单体结构，包括：
4.根据权利要求1所述的三维电极探测器的制作方法，其特征在于，所述在所述单体结构和所述中间介质埋层的裸露面外侧掺杂形成初始掺杂部，包括：
5.根据权利要求1所述的三维电极探测器的制作方法，其特征在于，所述在所述单体结构处，在所述初始掺杂部背离所述半导体底层一侧且位于所述保护环掺杂部外侧形成掩膜层，包括：
6.根据权利要求1所述的三维电极探测...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘曼文，顾金熹，李志华，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：
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