【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及功率半导体模组的试验方法和试验装置，尤其涉及能够有效应用于局部放电试验的技术。
技术介绍
1、功率半导体模组在电动汽车、电气化铁道、可再生能源发电系统等各种领域被广泛地使用，要求实现更高的耐久性、更高的可靠性。
2、功率半导体模组的故障原因之一是局部放电引起的绝缘击穿。局部放电是在绝缘体的缺陷部发生的微弱放电(电晕放电)，其会推进绝缘体的劣化。当驱动电压中发生局部放电时，产品寿命会缩短，导致突然的故障、击穿。从而，通过局部放电试验来检测无法通过其他耐压试验(withstand voltage test)发现的潜在不良是很重要的，对于功率半导体模组的绝缘可靠性评价非常有效。
3、作为本
的
技术介绍
，例如有如专利文献1所述的技术。专利文献1公开了一种局部放电测量系统，在高压器件的绝缘劣化诊断中能够用于确定局部放电的发生位置和发生原因。
4、现有技术文献
5、专利文献
6、专利文献1：日本特开2018-185223号公报
技术实现思路<
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【技术保护点】
1.一种功率半导体模组的局部放电原因推断方法，用于推断功率半导体模组的局部放电试验时的局部放电原因，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的功率半导体模组的局部放电原因推断方法，其特征在于：
3.如权利要求2所述的功率半导体模组的局部放电原因推断方法，其特征在于：
4.如权利要求2所述的功率半导体模组的局部放电原因推断方法，其特征在于：
5.如权利要求1～4中任意一项所述的功率半导体模组的局部放电原因推断方法，其特征在于，包括：
6.如权利要求5所述的功率半导体模组的局部放电原因推断方法，其特征在于：>
7.如权利要...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种功率半导体模组的局部放电原因推断方法，用于推断功率半导体模组的局部放电试验时的局部放电原因，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的功率半导体模组的局部放电原因推断方法，其特征在于：
3.如权利要求2所述的功率半导体模组的局部放电原因推断方法，其特征在于：
4.如权利要求2所述的功率半导体模组的局部放电原因推断方法，其特征在于：
5.如权利要求1～4中任意一项所述的功率半导体模组的局部放电原因推断方法，其特征在于，包括：
6.如权利要求5所述的功率半导体...
【专利技术属性】
技术研发人员：八木大介，直江和明，楠川顺平，樱井骏，村元明弘，
申请(专利权)人：美蓓亚功率半导体株式会社，
类型：发明
国别省市：
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