半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种半导体装置，使用栅极耐压低的高压元件能够进行共源共栅连接，能够实现耐压提高。半导体装置(100)具备第一半导体元件(101)、第二半导体元件(102)、电阻(111)、齐纳二极管(112)、以及高压二极管(113)，HVNM1的漏极与HVNM2的源极进行共源共栅连接，在HVNM2的栅极－源极间连接有电阻(111)和齐纳二极管(112)，在HVNM1的栅极与HVNM2的栅极之间连接有高压二极管(113)。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本专利技术涉及半导体装置。

技术介绍

1、在通过切换对线圈的通电来驱动的一般的马达中，使用包含半导体开关元件(insulated-gate bipolar transistor：igbt等)的驱动电路(半导体装置)。另一方面，作为半导体装置的其它例，公知有以下电力转换装置：将多个单相逆变器装置串联连接而形成一相量的逆变器装置组，将其组合为例如三相而形成三相的逆变器系统。

2、在这样的逆变器系统中，使用输入逻辑脉冲并驱动下一级的栅极的栅极驱动电路部(栅极驱动器)。该栅极驱动器所使用的半导体装置需要使晶体管的一部分为高耐压晶体管。

3、在专利文献1中记载有一种电平移位电路，该电平移位电路具备将驱动信号传递至半导体元件的控制端子的机构。

4、图7是表示包含高耐压晶体管的mos(metal-oxide-semiconductor)栅极驱动器ic(半导体装置)的电路结构的图。图7以u、v、w的三相控制信号中的u相为代表而示出，另外，表示上支驱动电路。此外，在以后的图中，用圆包围的晶体管表示高耐压，未包围的晶体管表示低耐压。

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【技术保护点】

1.一种半导体装置，其特征在于，

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种半导体装置，其特征在于，

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

3...

【专利技术属性】
技术研发人员：南条广行，樱井健司，内海智之，
申请(专利权)人：美蓓亚功率半导体株式会社，
类型：发明
国别省市：