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本发明提供一种半导体装置，使用栅极耐压低的高压元件能够进行共源共栅连接，能够实现耐压提高。半导体装置(100)具备第一半导体元件(101)、第二半导体元件(102)、电阻(111)、齐纳二极管(112)、以及高压二极管(113)，HVNM1...
该专利属于美蓓亚功率半导体株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过美蓓亚功率半导体株式会社授权不得商用。

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