一种多晶硅生产用还原炉内壁涂层的制备方法技术

本发明专利技术提供一种多晶硅生产用还原炉内壁涂层的制备方法，属于多晶硅生产设备领域。制备方法包括将金属箔覆于还原炉内壁；采用喷丸工艺夯实镶嵌金属箔制备过渡层；采用冷喷涂工艺在所述金属箔表面制备银涂层；采用机械抛光法对银涂层进行抛光处理。本发明专利技术在还原炉内壁覆加金属箔并采用喷丸工艺制备过渡层，之后在金属箔表面喷涂银涂层，工序简单高效，金属箔经喷丸后，嵌入基体内，与不锈钢基体和银涂层的结合强度均较高、抗热震性能好，从而有效提高设备的使用寿命；本发明专利技术能有效防止还原炉不锈钢基体的杂质元素扩散至银涂层表面进入炉腔，进而能有效确保还原炉中多晶硅的高纯度特性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于多晶硅生产设备领域，具体涉及一种多晶硅生产用还原炉内壁涂层的制备方法。

技术介绍

1、多晶硅是一种光伏、半导体等行业中的核心基础原材料，是制备单晶硅的主要原料，广泛应用于各种晶体管、整流二极管、可控硅、太阳能电池、集成电路以及电子计算机芯片等。

2、目前，多晶硅的生产方法主要为改良西门子法，其合成步骤如下：

3、1)以工业硅粉与氯化氢为原料，在合成流化床中合成三氯氢硅气体；2)通过精馏提纯装置对三氯氢硅进行精馏/提纯；3)将三氯氢硅与高纯氢气送入还原炉中，经化学气相沉积反应生产高纯多晶硅。

4、步骤3)中的还原炉为改良西门子法制备多晶硅的核心设备，其设计和制造直接影响多晶硅的品质和生产成本。在多晶硅的生产成本中，原材料占比最大，约为41％；电力成本为仅次于原材料的第二大成本项，占比为30％；原因是多晶硅的合成过程中需要使还原炉内部的温度维持在特定的范围，常用的不锈钢还原炉的红外波反射率较低，能量损失达60％以上，因此，该类还原炉反应器中就需要源源不断的输入电能。

5、因此，为了达到节约电能、提升本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种多晶硅生产用还原炉内壁涂层的制备方法，其特征在于，包括以下制备步骤：

2.根据权利要求1所述的一种多晶硅生产用还原炉内壁涂层的制备方法，其特征在于，所述金属箔的厚度为10μm～200μm。

3.根据权利要求2所述的一种多晶硅生产用还原炉内壁涂层的制备方法，其特征在于，所述金属箔为镍箔、铁箔、银箔、钽箔或者铌箔中的一种或多种复合。

4.根据权利要求1所述的一种多晶硅生产用还原炉内壁涂层的制备方法，其特征在于，步骤S1中，所述金属箔通过静电吸附贴附于还原炉内壁。

5.根据权利要求1所述的一种多晶硅生产用还原炉内壁涂层的制备方法，其特征在...

【技术特征摘要】

1.一种多晶硅生产用还原炉内壁涂层的制备方法，其特征在于，包括以下制备步骤：

2.根据权利要求1所述的一种多晶硅生产用还原炉内壁涂层的制备方法，其特征在于，所述金属箔的厚度为10μm～200μm。

3.根据权利要求2所述的一种多晶硅生产用还原炉内壁涂层的制备方法，其特征在于，所述金属箔为镍箔、铁箔、银箔、钽箔或者铌箔中的一种或多种复合。

4.根据权利要求1所述的一种多晶硅生产用还原炉内壁涂层的制备方法，其特征在于，步骤s1中，所述金属箔通过静电吸附贴附于还原炉内壁。

5.根据权利要求1所述的一种多晶硅生产用还原炉内壁涂层的制备方法，其特征在于，所述喷丸采用不锈钢丸、铸铁丸、玻璃丸或陶瓷丸中的一种。

6.根据权利要求1所述的一种多晶硅生产用还原炉内壁涂层的制备方法，其特征在于，所述制备银涂层的厚度为100μm～2mm。

7.根据权利要求1所述的一种多晶硅生产用还原炉内壁涂层的制备方法，其特征在于，步骤s2中，喷丸的工作环境及参数为：工作气体为压缩空气...

【专利技术属性】
技术研发人员：秦榕，张永良，危胜，李有斌，李宏盼，曹喜高，郑永良，张万军，周国峰，陈叮琳，张才刚，俞朝，成进义，
申请(专利权)人：青海黄河上游水电开发有限责任公司新能源分公司，
类型：发明
国别省市：