【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于晶体硅清洗质量判断，特别涉及一种硅清洗质量的判断方法及系统。
技术介绍
1、晶体硅表面杂质含量的高低对单晶硅的制备以及晶圆片良品率的高低有着密切的关系，因而严格控制晶体硅的表面杂质含量对晶体硅的品质提升有着至关重要的影响。多晶硅在还原炉生长结束后，硅棒的收割以及后处理工序中与硅接触材料的纯度、环境的洁净度以及破碎、清洗、分拣、包装、运输整个后处理生产流程的每一个环节都会引入表面杂质。清洗是控制晶体硅表面杂质的有效手段，通过氢氟酸、硝酸的混合液对晶体硅进行化学清洗将晶体硅表面被污染层腐蚀后，再用水将表面的杂质冲洗干净，即可得到表面质量达标的晶体硅。显然氢氟酸、硝酸的混合液配比和浓度对清洗质量有着明显的影响。但氢氟酸、硝酸的混合液的浓度及配比由于该溶液极强的腐蚀性而难以实时测定。因此，硅清洗质量的判断一直是硅清洗过程的难点。
2、202111058646.1提到了一种清洗液评估方法，该方法首先测定不同质量配比的氢氟酸、硝酸混合液的吸光度值，将该值转化为参考数字信号，建立不同配比氢氟酸、硝酸混合液吸光度值和参考数字信号的对应关系，再对清洗设备中的氢氟酸和混酸的吸光度进行分析获得吸光度值，并将吸光度值转化为电信号。通过对比数字信号与参考数字信号可以确定氢氟酸、硝酸的配比及含量。该方法通过建立吸光度值和不同质量配比的氢氟酸、硝酸混合液关系来监测氢氟酸、硝酸混合液配比和浓度，但氢氟酸、硝酸混合液的吸光度值和其质量配比之间的关系不一定呈现单调性，即一个吸光度值可能对应多个质量配比，此时便无法判断氢氟酸、硝酸混合液的质
技术实现思路
1、针对上述问题，本专利技术提供了一种硅清洗质量的判断方法及系统。
2、本专利技术的第一个目的在于提供一种硅清洗质量的判断方法，包括：
3、将晶体硅样块和待清洗晶体硅放入固定成分的清洗液中清洗；
4、在清洗过程中，实时检测晶体硅样块的刻蚀量，所述刻蚀量为重量、体积和厚度中至少一个参数的变化量；
5、基于表面金属含量和刻蚀量的关系和实测晶体硅样块的刻蚀量，判断硅清洗质量。
6、进一步地，所述晶体硅样块的粒径偏差不超过150mm。
7、进一步地，所述硅样块的粒径偏差不超过30mm。
8、进一步地，所述晶体硅样块的重量精度至少小于0.1g；
9、和/或，
10、所述晶体硅样块的体积精度至少小于1cm3；
11、和/或，
12、所述晶体硅样块表面平整，厚度精度至少小于0.1mm，且在同一面各个点测定的厚度偏差不大于50微米。
13、进一步地，所述将晶体硅样块和待清洗晶体硅放入固定成分的清洗液中清洗，包括：
14、将晶体硅样块和待清洗晶体硅一同放入第一载体中；
15、将第一载体放入固定成分的清洗液中清洗。
16、进一步地，所述将晶体硅样块和待清洗晶体硅放入固定成分的清洗液中清洗，包括：
17、将待清洗晶体硅一同放入第一载体中；
18、将晶体硅样块放入第二载体中；
19、将第一载体和第二载体放入固定成分的清洗液中清洗。
20、进一步地，所述第一载体和所述第二载体均为耐腐蚀的材质制成、且表面布设有孔的筐或篮。
21、进一步地，所述表面金属含量和刻蚀量的关系的获得，包括：
22、将晶体硅样块和待清洗晶体硅放入固定成分的清洗液中清洗；
23、在清洗过程中，实时检测晶体硅样块的刻蚀量和晶体硅的表面金属质量；
24、确定表面金属含量和刻蚀量的关系。
25、进一步地，所述基于表面金属含量和刻蚀量的关系和实测晶体硅样块的刻蚀量，判断硅清洗质量，包括：
26、根据表面金属含量和刻蚀量的关系，确定刻蚀量阈值；
27、根据实测晶体硅样块的刻蚀量和/或刻蚀量阈值，判断硅清洗质量。
28、进一步地，所述根据实测晶体硅样块的刻蚀量和/或刻蚀量阈值，判断硅清洗质量，包括：
29、判断实测晶体硅样块的刻蚀量是否接近刻蚀量阈值，判断硅清洗工艺是否完成；
30、或，
31、根据实测晶体硅样块的刻蚀量的变化，判断硅清洗工艺过程中，补充不同量清洗液成分的合理性。
32、本专利技术的第二个目的在于提供一种硅清洗质量的判断系统，包括：
33、清洗模块：用于将晶体硅样块和待清洗晶体硅放入固定成分的清洗液中清洗；
34、检测模块：用于在清洗过程中，实时检测晶体硅样块的刻蚀量，所述刻蚀量为重量、体积和厚度中至少一个参数的变化量；
35、判断模块：用于基于表面金属含量和刻蚀量的关系和晶体硅样块的刻蚀量，判断硅清洗质量。
36、本专利技术的有益效果：
37、本专利技术提供的一种硅清洗质量的判断方法及系统，在固定成分的清洗液中，通过晶体硅样块的设定，以及实时检查晶体硅样块的刻蚀量，且通过表面金属含量和刻蚀量的关系确定刻蚀量阈值，然后根据实测晶体硅样块的刻蚀量的变化和/或刻蚀量阈值，判断硅清洗质量，实现硅清洗工艺是否完成的判断，或判断硅清洗工艺过程中，补充不同量的清洗液成分(清洗液为酸液时，如氢氟酸或硝酸)的合理性，通过以上方法确定清洗液成分(氢氟酸、硝酸)补充量后，即能形成一套固定的硅清洗循环工艺。
38、相较于通过测定氢氟酸、硝酸混合液的质量配比而定期、定量补充氢氟酸的方式，无需配套复杂的检测设备便能有效保证晶体硅清洗质量。为降低前段环境、工艺等影响调整可能对晶体硅表面质量的影响，只需定期按照上述方法确定刻蚀量的波动性在合理范围内即可。
39、本专利技术的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本专利技术而了解。本专利技术的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所指出的结构来实现和获得。
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1.一种硅清洗质量的判断方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的硅清洗质量的判断方法，其特征在于，所述晶体硅样块的粒径偏差不超过150mm。
3.根据权利要求1所述的硅清洗质量的判断方法，其特征在于，所述硅样块的粒径偏差不超过30mm。
4.根据权利要求1所述的硅清洗质量的判断方法，其特征在于，所述晶体硅样块的重量精度至少小于0.1g；
5.根据权利要求1所述的硅清洗质量的判断方法，其特征在于，所述将晶体硅样块和待清洗晶体硅放入固定成分的清洗液中清洗，包括：
6.根据权利要求1所述的硅清洗质量的判断方法，其特征在于，所述将晶体硅样块和待清洗晶体硅放入固定成分的清洗液中清洗，包括：
7.根据权利要求6所述的硅清洗质量的判断方法，其特征在于，所述第一载体和所述第二载体均为耐腐蚀的材质制成、且表面布设有孔的筐或篮。
8.根据权利要求1所述的硅清洗质量的判断方法，其特征在于，所述表面金属含量和刻蚀量的关系的获得，包括：
9.根据权利要求1-8任一所述的硅清洗质量的判断方法，其特征在于
10.根据权利要求9所述的硅清洗质量的判断方法，其特征在于，所述根据实测晶体硅样块的刻蚀量和/或刻蚀量阈值，判断硅清洗质量，包括：
11.一种硅清洗质量的判断系统，其特征在于，包括：
...【技术特征摘要】
1.一种硅清洗质量的判断方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的硅清洗质量的判断方法，其特征在于，所述晶体硅样块的粒径偏差不超过150mm。
3.根据权利要求1所述的硅清洗质量的判断方法，其特征在于，所述硅样块的粒径偏差不超过30mm。
4.根据权利要求1所述的硅清洗质量的判断方法，其特征在于，所述晶体硅样块的重量精度至少小于0.1g；
5.根据权利要求1所述的硅清洗质量的判断方法，其特征在于，所述将晶体硅样块和待清洗晶体硅放入固定成分的清洗液中清洗，包括：
6.根据权利要求1所述的硅清洗质量的判断方法，其特征在于，所述将晶体硅样块和待清洗晶体硅放入固定成分的清洗液中...
【专利技术属性】
技术研发人员：秦榕，张永良，杜斌功，刘虎，魏强，安生虎，高鹏，
申请(专利权)人：青海黄河上游水电开发有限责任公司新能源分公司，
类型：发明
国别省市：
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