一种大尺寸单晶的长晶方法技术

本发明专利技术涉及加工工艺领域，尤其涉及一种大尺寸单晶的长晶方法，本发明专利技术通过固定籽晶于单晶材料液面，提拉籽晶以牵引单晶材料生长，获取长晶初期的籽晶夹头提拉方向的受力值以及生长单晶的轮廓特征，依据生长单晶的轮廓特征分析中部轮廓宽度与液面轮廓宽度的特征差异量，结合籽晶夹头提拉方向的受力值波动计算长晶延展表征系数，判定单晶材料的长晶延展类别，确定工艺参数，牵引单晶材料生长，依据长晶延展表征系数确定籽晶夹头的提拉速度，依据生长单晶的轮廓特征的变化速率判定是否符合形态变异标准，以进行梯度提拉并同步调整单晶材料的温度，通过上述过程，保证大尺寸单晶长晶的完整性和连续性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及加工工艺领域，尤其涉及一种大尺寸单晶的长晶方法。

技术介绍

1、大尺寸单晶材料因其独特的物理和化学性质，在多个领域中发挥着重要作用，涵盖了从传统工业到高新技术产业的多个方面，包括电子器件、声学器件、光电催化、热管理工程、工业加工、光学仪器、超宽禁带半导体、航空航天、电力传输、雷达、制导、科研、军工、民用、电子信息、生物医用、培育钻石等。足够大尺寸的单晶方便进行灵活操作，能用于各种基础研究和器件制备，对于推动相关领域的技术进步和产业发展具有重要意义。

2、中国专利公开号：cn111379016b，公开了一种硅单晶长晶方法，包括：提供炉体、不会相对于炉体转动的支撑座与坩埚、及设置于支撑座外围的加热模块；在坩埚内的硅熔汤液面实施固化以形成晶体后，逐次调降加热模块的加热功率而对坩埚的外周围区域进行适当的温度调节，并有效控制坩埚周围热场的温度梯度，借以得到由所述硅熔汤固化形成的一硅单晶晶锭；

3、现有技术中，在对单晶长晶过程中，未考虑单晶材料自身延展性及提拉力对单晶长晶的影响，尤其是，在制备大尺寸单晶长晶过程中，由于晶体体积及重本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种大尺寸单晶的长晶方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的大尺寸单晶的长晶方法，其特征在于，所述步骤S2中，分析中部轮廓宽度与液面轮廓宽度的特征差异量的过程包括，

3.根据权利要求1所述的大尺寸单晶的长晶方法，其特征在于，所述步骤S2中，根据公式(1)计算长晶延展表征系数，

4.根据权利要求1所述的大尺寸单晶的长晶方法，其特征在于，所述步骤S2中，依据所述长晶延展表征系数对单晶材料的长晶延展类别进行判定，包括，

5.根据权利要求1所述的大尺寸单晶的长晶方法，其特征在于，所述步骤S3中，依据所述长晶延展类别确定工艺参数，包括，...

【技术特征摘要】

1.一种大尺寸单晶的长晶方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的大尺寸单晶的长晶方法，其特征在于，所述步骤s2中，分析中部轮廓宽度与液面轮廓宽度的特征差异量的过程包括，

3.根据权利要求1所述的大尺寸单晶的长晶方法，其特征在于，所述步骤s2中，根据公式(1)计算长晶延展表征系数，

4.根据权利要求1所述的大尺寸单晶的长晶方法，其特征在于，所述步骤s2中，依据所述长晶延展表征系数对单晶材料的长晶延展类别进行判定，包括，

5.根据权利要求1所述的大尺寸单晶的长晶方法，其特征在于，所述步骤s3中，依据所述长晶延展类别确定工艺参数，包括，

【专利技术属性】
技术研发人员：董世昌，
申请(专利权)人：武汉金信新材料有限公司，
类型：发明
国别省市：

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