【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体工艺，具体是涉及一种半导体设备的清洁方法。
技术介绍
1、相关技术中，等离子体增强化学气相沉积(pecvd)工艺中，无定形碳工艺中形成的碳副产物会很容易吸附及渗入陶瓷静电加热盘内部，导致加热盘的静电吸附力发生变化，会极大影响整个工艺过程，造成晶圆边缘未很好地被静电加热盘吸附住，工艺膜层镀到晶圆背面。
技术实现思路
1、有鉴于此，本申请提供一种半导体设备的清洁方法，以解决现有技术中如何去除静电加热盘表面碳副产物的问题。
2、为了解决上述技术问题，本申请提供的技术方案为：提供一种半导体设备的清洁方法，包括：包括：
3、进行第一清洁阶段，其中，控制温度在第一温度范围内，向所述反应腔室通入第一清洁气体，所述第一清洁气体至少包括含氟气体和第一载气；
4、进行第二清洁阶段，其中，控制温度在第二温度范围内，向所述反应腔室通入第二清洁气体，所述第二清洁气体至少包括第二载气、以及氧化性气体或还原性气体。
5、在一实施例中，在所述第一清洁阶段，所...
【技术保护点】
1.一种半导体设备的清洁方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体设备的清洁方法，其特征在于，在所述第一清洁阶段，所述第一温度范围是200℃～450℃。
3.如权利要求1所述的半导体设备的清洁方法，其特征在于，所述含氟气体包括三氟化氮、全氟丁二烯、八氟环丁烷、二氟乙炔和六氟化硫中的至少一种。
4.如权利要求1所述的半导体设备的清洁方法，其特征在于，所述含氟气体的流量是1000sccm～2000sccm。
5.如权利要求1所述的半导体设备的清洁方法，其特征在于，所述第一载气和所述第二载气均包括氮气、氩气和氦气中
...【技术特征摘要】
1.一种半导体设备的清洁方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体设备的清洁方法，其特征在于，在所述第一清洁阶段，所述第一温度范围是200℃～450℃。
3.如权利要求1所述的半导体设备的清洁方法，其特征在于，所述含氟气体包括三氟化氮、全氟丁二烯、八氟环丁烷、二氟乙炔和六氟化硫中的至少一种。
4.如权利要求1所述的半导体设备的清洁方法，其特征在于，所述含氟气体的流量是1000sccm～2000sccm。
5.如权利要求1所述的半导体设备的清洁方法，其特征在于，所述第一载气和所述第二载气均包括氮气、氩气和氦气中的至少一种。
6.如权利要求1所述的半导体设备的清洁方法，其特征在于，所述第一载气的流量和所述第二载气的流量均是2500sccm～3500sccm。
7.如权利要求1～6任一项所述的半导体设备的清洁方法，其特征在于，所述第一清洁气体还包括功能气体，所述功能气体包括氧气、臭氧、二氧化碳、水蒸气、氯气、氟气、二氧化氮、一氧化二氮和过氧化氢中的至少一种；所述功能气体的流量是200sccm～5000sccm。
8.如权利要求1～6任一项所述的半导体设备的清洁方法，其特征在于，所述第一清洁气体还包括功能气体，所述功能气体包括氢气；所述功能气体的流量是200sccm～5000sc...
【专利技术属性】
技术研发人员：高力，张子涵，
申请(专利权)人：江苏微导纳米科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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