半导体结构及形成方法技术

本发明专利技术提供一种半导体结构及形成方法，其中半导体结构的形成方法包括：提供基底，所述基底包括SGT器件区、高压器件区以及低压器件区，所述高压器件区位于所述SGT器件区与所述低压器件区之间；刻蚀所述基底，在所述SGT器件区与所述高压器件区的交界处、所述高压器件区与所述低压器件区的交界处以及所述高压器件区内形成深沟槽；在所述深沟槽内形成深沟槽隔离结构。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造，尤其涉及一种半导体结构及形成方法。

技术介绍

1、功率集成ic被广泛应用在电源管理、电机驱动、汽车电子和工业控制等领域。bcd指的是将bipolar、cmos、dmos等高压功率器件及各种电阻电容和二极管集成在同一芯片的工艺技术，具有低成本、易封装、易设计和外围芯片更简洁等特点，快速发展为功率ic领域的主流技术。bcd技术中的bipolar双极晶体管具有高模拟精度主要用于模拟电路中，cmos具有高集成度主要用于逻辑电路中，dmos具有高功率(高电压)特性常用作开关作用。

2、现有技术中，bcd器件中往往集成有高压器件和低压器件，例如，高压器件可以是ldmos器件、高压jfet器件等，低压器件可以是低压mos器件等。而分立栅或屏蔽栅mosfet，是一种改进型的umos器件，相比于umos开关速度更快、开关损耗更低。根据poly的结构分上下(udsgt)和左右(lrsgt)。其中，sgt器件利用电荷平衡原理，通过适当提高外延层掺杂浓度以减小导通电阻；利用屏蔽栅降低cgd/ciss，改善dv/dt能力。</p>

3、目前本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：刻蚀所述SGT器件区的基底，在所述SGT器件区的基底内形成多个栅极沟槽和耐压槽，所述耐压槽位于所述深沟槽和所述栅极沟槽之间，在所述耐压槽内形成耐压结构，所述深沟槽结构与所述耐压结构相同或者所述深沟槽结构与所述耐压结构不相同。

3.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述深沟槽隔离结构的形成方法包括：

4.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：回刻蚀所述栅极沟槽内的所述初始第一栅极层形成第一栅极层，所述第...

【技术特征摘要】

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：刻蚀所述sgt器件区的基底，在所述sgt器件区的基底内形成多个栅极沟槽和耐压槽，所述耐压槽位于所述深沟槽和所述栅极沟槽之间，在所述耐压槽内形成耐压结构，所述深沟槽结构与所述耐压结构相同或者所述深沟槽结构与所述耐压结构不相同。

3.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述深沟槽隔离结构的形成方法包括：

4.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：回刻蚀所述栅极沟槽内的所述初始第一栅极层形成第一栅极层，所述第一栅极层的顶部表面低于所述栅极沟槽的顶部表面；在所述第一栅极层的顶部表面形成第二隔离层；在所述第二隔离层的表面形成第二栅极层，所述第一栅极层、所述第二隔离层以及所述第二栅极层填充满所述栅极沟槽形成屏蔽栅结构。

5.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述深沟槽隔离结构的形成方法包括：在所述栅极沟槽的侧壁和底部表面、所述耐压槽的侧壁和底部表面以及所述深沟槽内形成栅介质层，所述栅介质层填充满所述深沟槽构成所述深沟槽隔离结构。

6.如权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：在所述栅极沟槽和所述耐压槽内的所述栅介质层的表面形成初始第一栅极层；所述初始第一栅极层和所述栅介质层填充满所述栅极沟槽和所述耐压槽，所述耐压槽内的所述初始第一栅极层和所述栅介质层构成所述耐压结构；回刻蚀所述栅极沟槽内的所述初始第一栅极层形成第一栅极层，所述第一栅极层的顶部表面低于所述栅极沟槽的顶部表面；在所述第一栅极层的顶部表面形成第二隔离层；在所述第二隔离层的表面形成第二栅极层，所述第一栅极层、所述第二隔离层以及所述第二栅极层填充满所述栅极沟槽。

7.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述基底的形成方法包括：提供衬底；在所述高压器件区的部分衬底表面形成埋氧层；

8.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：在...

【专利技术属性】
技术研发人员：何兴月，张晗，陈晨，王黎，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：