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本发明提供一种半导体结构及形成方法，其中半导体结构的形成方法包括：提供基底，所述基底包括SGT器件区、高压器件区以及低压器件区，所述高压器件区位于所述SGT器件区与所述低压器件区之间；刻蚀所述基底，在所述SGT器件区与所述高压器件区的交界处...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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