半导体器件及其制备方法技术

本发明专利技术提供了一种半导体器件及其制备方法，所述半导体器件包括：衬底；设于所述衬底上的栅极结构；设于所述栅极结构两侧的源漏结构，所述源漏结构凸出于所述衬底的表面；第一侧墙，覆盖所述栅极结构部分侧壁，所述第一侧墙与所述源漏结构之间设有间隙；第一介电层部分填充所述间隙，并覆盖所述源漏结构、第一侧墙以及所述栅极结构，所述第一介电层具有朝向所述间隙延伸的第一凹陷；第二介电层覆盖所述第一介电层，包括填充所述第一凹陷的突出部。本发明专利技术中通过优化寄生效应及RC延迟以提高半导体器件的性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及集成电路制造，特别涉及一种半导体器件及其制备方法。

技术介绍

1、半导体晶体管(例如金属氧化物半导体晶体管，即mos晶体管)已被用于各种应用，例如电源、功率变换器、开关等应用。mos晶体管通常采用平面式结构，半导体集成电路的技术随着时间不断发展，上述平面式结构的晶体管的尺寸也随之微缩，业界通常采用应力工程以确保沟道中载流子的迁移率。即，在栅极结构两侧的源漏区域中形成凸起的外延材料，以对沟道区施加特定类型的应力，以提高沟道中的载流子迁移率。

2、但随着晶体管尺寸的进一步微缩，上述晶体管的源漏结构与栅极结构之间以及引出上述两者的插塞之间的寄生效应、rc延迟却越来越明显，将进而影响器件的性能。

技术实现思路

1、本专利技术的目的在于提供一种半导体器件及其制备方法，通过优化寄生效应及rc延迟以提高半导体器件的性能。

2、为解决上述技术问题，本专利技术提供的半导体器件，包括

3、衬底；

4、设于所述衬底上的栅极结构；

5、设于所述栅极结构两侧的源本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体器件，其特征在于，包括

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，在所述间隙的底部还设有第二侧墙，所述第二侧墙的顶面在垂直方向上低于所述第一侧墙的顶面。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述第一介电层覆盖所述第二侧墙的顶面。

4.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述第二侧墙的顶面在垂直方向上低于所述源漏结构的顶面。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第二介电层在所述间隙上的底面低于所述第一侧墙的顶面。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第二介电层...

【技术特征摘要】

1.一种半导体器件，其特征在于，包括

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，在所述间隙的底部还设有第二侧墙，所述第二侧墙的顶面在垂直方向上低于所述第一侧墙的顶面。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述第一介电层覆盖所述第二侧墙的顶面。

4.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述第二侧墙的顶面在垂直方向上低于所述源漏结构的顶面。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第二介电层在所述间隙上的底面低于所述第一侧墙的顶面。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第二介电层的所述突出部包含有空隙。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，还设有金属接触层，位于所述栅极结构及所述源漏结构的顶部且被所述第一介电层所覆盖，所述栅极结构上的金属接触层的宽度小于栅极结构的宽度。

8.一种半导体器件，其特征在于，包括

9.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：

10.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：涂言铭，何新悦，黄惠香，颜逸飞，林昭维，陈辉煌，
申请(专利权)人：福建省晋华集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：