一种钝化接触结构及钝化接触晶硅电池制造技术

本技术公开了一种钝化接触结构及钝化接触晶硅电池，包括：分别设置在金属接触区域的第一隧穿氧化硅层、第一多晶硅层，第一多晶硅层覆盖在第一隧穿氧化硅层上；分别设置在硅基体的背表面上的第二隧穿氧化硅层、第二多晶硅层；在金属接触区域，第一隧穿氧化硅层、第一多晶硅层、第二隧穿氧化硅层和第二多晶硅层依次层叠设置；第二隧穿氧化硅层的厚度大于第一隧穿氧化硅层的厚度且差值的绝对值为0.3‑0.5nm，第二多晶硅层的厚度小于第一多晶硅层的厚度；该钝化接触结构能够在表面复合、金属复合、界面接触电阻之间达成平衡，使金属接触区域金属复合与接触电阻率低，非金属接触区域表面复合低并且光吸收损失小，可用于钝化接触晶硅电池。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及太阳能电池领域，具体涉及一种钝化接触结构及钝化接触晶硅电池。

技术介绍

1、隧穿氧化层钝化接触电池(简称topcon电池)采用超薄隧穿氧化层加掺杂多晶硅层实现电池全背面高效钝化和载流子选择性收集，超薄氧化硅和掺杂多晶硅层共同形成了钝化接触结构，为硅片的背面提供了良好的表面钝化，超薄氧化层可以使多子(电子)隧穿进入多晶硅层同时阻挡少子(空穴)复合，进而多子在多晶硅层横向传输被金属收集，从而极大地降低了金属接触复合电流，提升了电池的开路电压和短路电流。目前topcon电池已实现量产并逐步取代perc电池的市场份额。如何进一步提升topcon电池的转换效率，成为行业研发人员的研究重点方向。

2、例如专利cn106449800b，其提出一种选择性多晶硅厚度的钝化接触结构，先沉积较厚的多晶硅层，然后通过沉积局域掩膜的方法并结合化学刻蚀实现局部区域的多晶硅薄膜的减薄，从而实现金属接触区多晶硅薄膜厚而非金属接触区域薄膜薄。该专利虽然在一定程度上防止了太阳能电池的电流损失，但是，一方面，其存在以下问题，使用化学刻蚀方法进行多晶硅减薄，实际操作中，化学本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种钝化接触结构，其特征在于，该钝化接触结构包括：

2.根据权利要求1所述的钝化接触结构，其特征在于，所述第一隧穿氧化硅层的厚度为0.8-1.5nm。

3.根据权利要求1或2所述的钝化接触结构，其特征在于，所述第二隧穿氧化硅层的厚度为1.2-2nm。

4.根据权利要求1所述的钝化接触结构，其特征在于，所述第一多晶硅层的厚度为100-200nm。

5.根据权利要求1或4所述的钝化接触结构，其特征在于，所述第二多晶硅层的厚度为40-100nm。

6.根据权利要求1所述的钝化接触结构，其特征在于，所述钝化接触结构还包括设置在所述第...

【技术特征摘要】

1.一种钝化接触结构，其特征在于，该钝化接触结构包括：

2.根据权利要求1所述的钝化接触结构，其特征在于，所述第一隧穿氧化硅层的厚度为0.8-1.5nm。

3.根据权利要求1或2所述的钝化接触结构，其特征在于，所述第二隧穿氧化硅层的厚度为1.2-2nm。

4.根据权利要求1所述的钝化接触结构，其特征在于，所述第一多晶硅层的厚度为100-200nm。

5.根据权利要求1或4所述的钝化接触结构，其特征在于，所述第二多晶硅层的厚度为40-100nm。

6.根据权利要求1所述的钝化接触结构，其特征在于，所述钝化接触结构还包括设置在所述第二多晶...

【专利技术属性】
技术研发人员：沈东东，齐琦，肖赞，包俊杰，黄沈虎，王玲，
申请(专利权)人：江苏林洋太阳能有限公司，
类型：新型
国别省市：