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本技术公开了一种钝化接触结构及钝化接触晶硅电池，包括：分别设置在金属接触区域的第一隧穿氧化硅层、第一多晶硅层，第一多晶硅层覆盖在第一隧穿氧化硅层上；分别设置在硅基体的背表面上的第二隧穿氧化硅层、第二多晶硅层；在金属接触区域，第一隧穿氧化硅层...
该专利属于江苏林洋太阳能有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江苏林洋太阳能有限公司授权不得商用。

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