一种蒸镀装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种蒸镀装置，包括真空腔室、基板、第一蒸发源、蒸发分布件以及第二蒸发源，基板安装于真空腔室内；第一蒸发源安装于真空腔室内，用于产生第一膜材蒸汽，且第一蒸发源具有第一出气孔；蒸发分布件与第一出气孔连通，蒸发分部件具有扩散部，扩散部的横截面积大于第一出气孔的表面积，扩散部上陈列分布若干排气孔，任意一个排气孔的开口方向均朝向基板设置，且任意一个所述排气孔与基板的间距均等于第一阈值，第二蒸发源安装于真空腔室内，用于产生第二膜材蒸汽，第二蒸发源具有第二出气孔，第二出气孔的开口方向与任意一个排气孔的开口方向均相交。第一膜材蒸汽和第二膜材蒸汽均匀混合，从而在基板上形成均匀的薄膜。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造设备，具体涉及一种蒸镀装置。

技术介绍

1、钙钛矿电池是利用钙钛矿型的金属卤化物半导体作为吸光材料的太阳能电池，属于第三代太阳能电池，也称作新概念太阳能电池，钙钛矿电池具有高效发电、成本低、适应性广等特点，受到了学术界和产业界的广泛关注。

2、目前常用的钙钛矿电池制备方法为真空蒸镀法，真空蒸镀法采用多源共蒸工艺，即将不同蒸镀材料注入各自的蒸发源中，通过独立控制各个蒸发源的蒸发速率，以在基板上形成不同蒸镀材料混合的薄膜，然而，在实际蒸镀过程中，常常出现各个蒸镀材料蒸汽混合不均匀情况，从而导致形成的薄膜不均匀。

技术实现思路

1、有鉴于此，本专利技术提供了一种蒸镀装置，以解决现有的在实际蒸镀过程中，常常出现各个蒸镀材料蒸汽混合不均匀情况，从而导致形成的薄膜不均匀的问题。

2、本专利技术提供了一种蒸镀装置，包括：

3、真空腔室；

4、基板，安装于所述真空腔室内；

5、第一蒸发源，安装于所述真空腔室内，用于产生第一膜材蒸汽，且所述第一本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种蒸镀装置，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的蒸镀装置，其特征在于，所述第一蒸发源(1)具有多个所述第一出气孔，多个所述第一出气孔线性排列，所述蒸发分布件(2)具有收集部，所述收集部一端与所有所述第一出气孔连通，另一端与所述扩散部连通，且所述扩散部的横截面积大于所有所述第一出气孔的表面积之和。

3.根据权利要求2所述的蒸镀装置，其特征在于，所述收集部包括多个收集管道(221)，所述收集管道(221)与所述第一出气孔一一对应，且任意一个所述收集管道(221)的两端均分别与对应的所述第一出气孔和所述扩散部连通。

4.根据权利要求3所述的蒸镀...

【技术特征摘要】

1.一种蒸镀装置，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的蒸镀装置，其特征在于，所述第一蒸发源(1)具有多个所述第一出气孔，多个所述第一出气孔线性排列，所述蒸发分布件(2)具有收集部，所述收集部一端与所有所述第一出气孔连通，另一端与所述扩散部连通，且所述扩散部的横截面积大于所有所述第一出气孔的表面积之和。

3.根据权利要求2所述的蒸镀装置，其特征在于，所述收集部包括多个收集管道(221)，所述收集管道(221)与所述第一出气孔一一对应，且任意一个所述收集管道(221)的两端均分别与对应的所述第一出气孔和所述扩散部连通。

4.根据权利要求3所述的蒸镀装置，其特征在于，所述扩散部包括多个扩散管体(212)，任意一个所述扩散管体(212)均与对应的所述收集管道(221)连通，任意一个所述扩散管体(212)上均沿其轴向方向间隔分布有多个所述排气孔(211)。

5.根据权利要求4所述的蒸镀装置，其特征在于，任意一个所述扩散管体(212)均垂直于对应的所述收集管道(221)，且多个所述扩散管体(212)间隔排列。

6.根据权利要求5所述的蒸镀装置，其特征在于，还包括多个支架(3)，任意一个所述支架(3)均具有相连接的支撑部(...

【专利技术属性】
技术研发人员：毕恩兵，牟星野，
申请(专利权)人：宣城先进光伏技术有限公司，
类型：发明
国别省市：