【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及特种气体合成,尤其涉及一种六氟丁二烯的合成方法及中间二聚体的合成系统。
技术介绍
1、在半导体芯片制造过程中,电子特气广泛应用于硅片制造、氧化、光刻、气相沉积、蚀刻、离子注入等工艺环节,其是决定半导体芯片产品质量的核心产品要素。随着近年来下游产业技术快速更迭,要求更大的晶圆尺寸,更细微化的制程技术,电子特气的精细化程度与稳定性持续提高,对先进制程用的中高端气体材料需求持续突出。
2、电子六氟丁二烯为8-12寸半导体先进制程的战略性核心气体,以其作为半导体的等离子蚀刻具有更快的蚀刻速率、高选择性和高深宽比,在大气中寿命较短,全球变暖潜值与传统刻蚀剂相比可忽略不计,是刻蚀气中唯一兼具应用性能和环保性能的产品。目前,主流合成六氟丁二烯的方法为:
3、
4、但上述方式涉及的原料及溶剂较多,且部分为有毒有害原料,反应过程复杂,成本高,且中间二聚体分离难度比较高,目标产物收率较低。
5、为解决上述问题,申请人申请了公布号cn116283481a的专利技术专利,公开一种六氟丁二烯的合成方法
...【技术保护点】
1.一种六氟丁二烯的合成方法,其特征在于,包括如下步骤:将稳定剂与三氟氯乙烯汽化后混合均匀得到混合物料,所述混合物料在加热的条件下发生二聚化反应得到反应产物,对所述反应产物进行分离提纯得到中间二聚体,所述中间二聚体经脱氯后处理得到六氟丁二烯,
2.根据权利要求1所述的六氟丁二烯的合成方法,其特征在于,所述反应产物包括所述中间二聚体和副产物,所述中间二聚体为CF2Cl-CF=CF-CF2Cl的立体同分异构体及CF2Cl-CFCl-CF=CF2。
3.根据权利要求2所述的六氟丁二烯的合成方法,其特征在于,对所述反应产物的分离包括二次分离,第一次分离
...【技术特征摘要】
1.一种六氟丁二烯的合成方法,其特征在于,包括如下步骤:将稳定剂与三氟氯乙烯汽化后混合均匀得到混合物料,所述混合物料在加热的条件下发生二聚化反应得到反应产物,对所述反应产物进行分离提纯得到中间二聚体,所述中间二聚体经脱氯后处理得到六氟丁二烯,
2.根据权利要求1所述的六氟丁二烯的合成方法,其特征在于,所述反应产物包括所述中间二聚体和副产物,所述中间二聚体为cf2cl-cf=cf-cf2cl的立体同分异构体及cf2cl-cfcl-cf=cf2。
3.根据权利要求2所述的六氟丁二烯的合成方法,其特征在于,对所述反应产物的分离包括二次分离,第一次分离采用一级精馏的方式得到用于回收再反应的未反应原料;第二次分离采用多级精馏的方式分别得到所述中间二聚体、所述副产物及所述稳定剂,其中,进行精馏时的温度为-10℃至100℃。
4.根据权利要求1所述的六氟丁二烯的合成方法,其特征在于,所述氟化物的来源为化学通式为cxf2(x+1)或cxf(y+2x+2)ny的化合物中的至少一种,其中x和y取正整数;
5.根据权利要求1所述的六氟丁二烯的合成方法,其特征在于,所述氟化物的沸点为z,120℃≤z≤300℃。
...【专利技术属性】
技术研发人员:杨俊豪,陈艳珊,傅铸红,茹高艺,谢武中,陈志炜,张政政,
申请(专利权)人:广东华特气体股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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