改善金属迁移的发光二极管及其制备方法技术

本公开提供了一种改善金属迁移的发光二极管及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该发光二极管包括：外延层、第一绝缘层、金属反射层和金属保护层；所述第一绝缘层位于所述外延层的表面上，所述第一绝缘层的远离所述外延层的表面具有沉积槽，所述沉积槽的槽底具有通孔，所述金属反射层位于所述沉积槽内，且通过所述通孔与所述外延层电连接，所述金属反射层在所述外延层的底面的正投影位于所述沉积槽在所述外延层的底面的正投影内，所述金属保护层位于所述第一绝缘层的远离所述外延层的表面上、所述沉积槽内，且覆盖所述金属反射层。本公开实施例能改善改善金属反射层中金属粒子容易迁移的问题。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及光电子制造，特别涉及一种改善金属迁移的发光二极管及其制备方法。

技术介绍

1、发光二极管(light emitting diode，简称：led)作为光电子产业中极具影响力的新产品，具有体积小、使用寿命长、颜色丰富多彩、能耗低等特点，广泛应用于照明、显示屏、信号灯、背光源、玩具等领域。

2、相关技术中，发光二极管包括：外延层、绝缘层、金属反射层和金属保护层，绝缘层位于外延层的表面上，绝缘层的表面具有露出外延层的通孔，金属反射层位于绝缘层的远离外延层的表面上，且通过通孔与外延层相连，金属保护层位于绝缘层的远离外延层的表面上，且覆盖金属反射层，以保护金属反射层。

3、然而，金属反射层通常包括活泼金属ag，在制备金属反射层的过程中，会产生ag粒子。这些金属粒子在制备过程中容易发生迁移，导致金属粒子附着在金属反射层预期生长区域以外的区域。这就会使得部分金属粒子没有被后续形成的金属保护层所覆盖，而这些金属粒子容易破坏其他膜层，进而导致发光二极管出现漏电失效的问题。

技术实现思路

1、本本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种发光二极管，其特征在于，所述发光二极管包括：外延层(20)、第一绝缘层(31)、金属反射层(41)和金属保护层(42)；

2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述沉积槽(310)的槽深与所述第一绝缘层(31)的厚度之比为1/3至2/3。

3.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述金属反射层(41)的厚度小于或者等于所述沉积槽(310)的槽深。

4.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述金属反射层(41)的周边边缘与所述沉积槽(310)的槽壁之间具有间隙。

5.根据权利要求4所述的发光二极管，其特征在于...

【技术特征摘要】

1.一种发光二极管，其特征在于，所述发光二极管包括：外延层(20)、第一绝缘层(31)、金属反射层(41)和金属保护层(42)；

2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述沉积槽(310)的槽深与所述第一绝缘层(31)的厚度之比为1/3至2/3。

3.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述金属反射层(41)的厚度小于或者等于所述沉积槽(310)的槽深。

4.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述金属反射层(41)的周边边缘与所述沉积槽(310)的槽壁之间具有间隙。

5.根据权利要求4所述的发光二极管，其特征在于，所述金属反射层(41)的周边边缘与所述沉积槽(310)的槽壁之间的间隙的长度小于或者等于4μm。

6.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述沉积槽(310)的...

【专利技术属性】
技术研发人员：王佳，田宇航，魏柏林，田艳红，尹灵峰，
申请(专利权)人：京东方华灿光电苏州有限公司，
类型：发明
国别省市：