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本公开提供了一种改善金属迁移的发光二极管及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该发光二极管包括：外延层、第一绝缘层、金属反射层和金属保护层；所述第一绝缘层位于所述外延层的表面上，所述第一绝缘层的远离所述外延层的表面具有沉积槽，所述沉积槽的槽...
该专利属于京东方华灿光电（苏州）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过京东方华灿光电（苏州）有限公司授权不得商用。

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