【技术实现步骤摘要】
本公开的实施方式涉及电子装置及电子装置的制造方法，并且更具体地，涉及半导体装置及半导体装置的制造方法。
技术介绍
1、半导体装置的集成度主要由单位存储器单元所占据的面积来确定。近来，随着用于在基板上以单层形成存储器单元的半导体装置的集成度的提高达到极限，已经考虑了用于在基板上层叠存储器单元的三维半导体装置。此外，为了提高这种三维半导体装置的操作可靠性，已经开发了各种结构和制造方法。
技术实现思路
1、在一个实施方式中，一种半导体装置可以包括：第一半导体结构，其包括页缓冲器、第一外围电路、位于页缓冲器上的位线、以及位于位线上的层叠物，层叠物包括a)阶梯结构、b)位于层叠物上的源极结构和c)延伸穿过层叠物的沟道结构；以及第二半导体结构，第二半导体结构接合到第一半导体结构并且第二半导体结构包括a)被定位为面向源极结构的第二外围电路和b)被定位为面向阶梯结构的通过晶体管(pass transistor)。
2、在另一实施方式中，一种半导体装置的制造方法可以包括：形成第一半导体结构，其包...
【技术保护点】
1.一种半导体装置，所述半导体装置包括：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述层叠物包括分别通过所述阶梯结构暴露的导电层。
3.根据权利要求2所述的半导体装置，所述半导体装置还包括：
4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，所述导电层和所述通过晶体管通过所述第一接触插塞彼此电连接。
5.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，所述第二外围电路包括向所述导电层传输电压的电压发生器。
6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一外围电路包括数据输入/输出电路或控制所述页缓冲器的逻辑电路。
<...【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，所述半导体装置包括：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述层叠物包括分别通过所述阶梯结构暴露的导电层。
3.根据权利要求2所述的半导体装置，所述半导体装置还包括：
4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，所述导电层和所述通过晶体管通过所述第一接触插塞彼此电连接。
5.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，所述第二外围电路包括向所述导电层传输电压的电压发生器。
6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一外围电路包括数据输入/输出电路或控制所述页缓冲器的逻辑电路。
7.根据权利要求1所述的半导体装置，所述半导体装置还包括：
8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一半导体结构包括位于所述层叠物之上的第一接合焊盘。
9.根据权利要求8所述的半导体装置，其中，所述第二半导体结构包括接合到所述第一接合焊盘的第二接合焊盘。
10.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述通过晶体管中的每一个是高电压晶体管。
11.一种半导体装置的制造方法，所述制造方法包括以下步骤：
12.根据权利要求11所述的制造方法，其中，形成所述第一半导体结构的步骤包括以下步骤：
...
【专利技术属性】
技术研发人员：郑盛旭，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：
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