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本申请涉及半导体装置及半导体装置的制造方法。半导体装置可以包括：第一半导体结构，其包括页缓冲器、第一外围电路、位于页缓冲器上的位线、以及位于位线上的层叠物，层叠物包括a)阶梯结构、b)位于层叠物上的源极结构和c)延伸穿过层叠物的沟道结构；以...
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