一种精确调控碳基介孔钙钛矿太阳能电池钙钛矿在各介孔层填充生长的方法技术

本发明专利技术公开了一种能够精确调控钙钛矿在碳基介孔钙钛矿太阳能电池填充生长的方法，改变制备TiO<subgt;2</subgt;薄膜浆料的TiO<subgt;2</subgt;粉末粒径来改变孔隙率以及孔隙大小，调控钙钛矿的填充生长；改变ZrO<subgt;2</subgt;薄膜的厚度来调控钙钛矿的填充生长，影响电池的开路电压和填充因子；使用火焰辅助化学气相沉积制备NiO薄膜，改变其在火焰下的通过次数调控NIO薄膜的粗糙度、结晶度、孔隙率，调控钙钛矿的填充生长；改变制备背电极C薄膜时的退火温度来调控碳层的表面粗糙度和取向性，调控钙钛矿的填充生长。本发明专利技术通过改变介孔层的溶液粒径、薄膜厚度、制备方法和退火温度等，实现对碳基介孔钙钛矿太阳能电池各介孔层薄膜的形貌精确调控，从而调控钙钛矿在各介孔层的填充生长。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及碳基介孔钙钛矿太阳能电池薄膜制备，具体涉及一种精确调控碳基介孔钙钛矿太阳能电池钙钛矿在各介孔层填充生长的方法。

技术介绍

1、目前研究报道的钙钛矿太阳能电池最高光电效率已经达到25.7%。而碳基介孔钙钛矿太阳能电池的效率只有18%左右，但其优势体现在最大功率点能够稳定工作超过9000小时，而且制备工艺简单廉价。要实现碳基介孔钙钛矿太阳能电池的商业化大规模生产应用，亟需提升其光电转换效率。研究表明，制约碳基介孔钙钛矿太阳能电池光电转换效率的因素包括：（1）钙钛矿薄膜与碳电极的能级不匹配，接触不紧密，而且碳电极导电性查，载流子迁移率低；（2）钙钛矿薄膜晶体在介孔层中的生长质量差，缺陷态多，复合严重；（3）钙钛矿薄膜需要掺杂；（4）电子和空穴传输介孔层薄膜需要掺杂提升导电性，而且需要控制薄膜的形貌结构；（5）界面工程等。

技术实现思路

1、为解决上述技术问题，本专利技术采用四介孔层架构的介孔钙钛矿太阳能电池，通过精确调控各介孔层薄膜的孔隙大小、孔隙率、厚度、表面粗糙度和取向性等控制钙钛矿在介孔层的填充本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种精确调控碳基介孔钙钛矿太阳能电池钙钛矿在各介孔层填充生长的方法，其特征在于，包括：

【技术特征摘要】

1.一种精确调控碳基介孔钙钛矿太阳能电池钙钛矿...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨崇秋，刘云龙，宋汝君，杨小辉，
申请(专利权)人：山东理工大学，
类型：发明
国别省市：