【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制备工艺领域，特别涉及一种形成钴钛硅化物层的方法及半导体结构的制备方法。
技术介绍
1、在决定器件性能的因素中，接触电阻是必须解决的问题之一。目前，为了降低接触电阻，在接触区域沉积金属层之后会进行后续热处理，以形成硅化物，即金属和硅的合金形式。金属硅化物可以显着减少金属与硅界面的缺陷，降低肖特基势垒，并将掺杂原子(掺杂剂)驱向界面。比较常见的金属硅化物有钴硅化物、钛硅化物等。现有技术中，通常采用以下方法形成钴/钛硅化物：先在硅层1上形成由钴膜2和氮化钛3(tin)膜组成的si/co/tin叠层结构(如图1所示)；然后进行两次快速热处理，形成钴/钛硅化物，同时除去未形成硅化物的剩余金属层。在这种方法中，虽然增加氮化钛膜防止了钴在热处理时的无序流动，但仍存在以下问题：一方面，易氧化的钴会在随后的高温工艺中导致硅的过度生长，从而造成缺陷；另一方面，沉积的膜层较多，增加了工艺的复杂度。
2、为此，提出本专利技术。
技术实现思路
1、本专利技术的主要目的在于提供一种形...
【技术保护点】
1.一种形成钴钛硅化物层的方法，其特征在于，包括下列步骤：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在转变为钴钛硅化物层之后还包括：
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述溅射在真空条件下进行。
4.根据权利要求1或3所述的方法，其特征在于，所述溅射采用交流电源。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，利用快速热处理法加热所述钴钛层的温度为500～800℃。
6.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括：
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述源极、漏极和栅极的表面的钴钛层
【技术特征摘要】
1.一种形成钴钛硅化物层的方法，其特征在于，包括下列步骤：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在转变为钴钛硅化物层之后还包括：
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述溅射在真空条件下进行。
4.根据权利要求1或3所述的方法，其特征在于，所述溅射采用交流电源。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，利用快速热处理法加热所述钴钛层的温度为500～800℃。
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【专利技术属性】
技术研发人员：张泰栻，
申请(专利权)人：成都高真科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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