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本发明涉及一种形成钴钛硅化物层的方法及半导体结构的制备方法。一种形成钴钛硅化物层的方法，其包括下列步骤：以钴钛合金为靶材，在硅层上溅射钴钛层；利用快速热处理法加热所述钴钛层，使其转变为钴钛硅化物层。本发明解决了因钴氧化导致的硅过度生长问题，...
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