【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体封装领域，尤其涉及一种封装结构及封装方法。
技术介绍
1、目前通过先进封装，可以提高电子元器件集成度，减小封装的几何尺寸和封装重量。
2、tsv(through silicon via，硅通孔技术)，是指通过在芯片与芯片之间、晶圆与晶圆之间制作垂直导通。实现硅通孔的垂直电气互联是实现3d先进封装的关键技术之一。但是，tsv制作工艺复杂，且成本较高。因此，如何提供一种制作工艺简单且制作成本低的封装结构成了亟待解决的技术问题。
技术实现思路
1、本专利技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本专利技术提出一种封装结构及封装方法，能够简化封装制程并降低封装成本。
2、根据本专利技术的第一方面实施例的封装结构，所述封装结构包括：
3、封装基板，所述封装基板设有第一通孔、第一表面和与所述第一表面相对的第二表面，所述第一表面用于进行电连接；
4、第一封装对象，所述第一封装对象设置在所述第一通孔内，并且所述第一封装对象的电连...
【技术保护点】
1.一种封装结构，其特征在于，所述封装结构包括：
2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述第一封装对象设置有与所述电连接面相对的散热面；
3.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，所述散热层包括：
4.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述封装结构还包括：
5.根据权利要求1至4任一项所述的封装结构，其特征在于，所述封装结构还包括：
6.根据权利要求1至4任一项所述的封装结构，其特征在于，所述封装结构还包括：
7.根据权利要求1至4任一项所述的封装结构，其特征在于，所述封装结
<...【技术特征摘要】
1.一种封装结构，其特征在于，所述封装结构包括：
2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述第一封装对象设置有与所述电连接面相对的散热面；
3.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，所述散热层包括：
4.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述封装结构还包括：
5.根据权利要求1至4任一项所述的封装结构，其特征在于，所述封装结构还包括：
6.根据权利要求1至4任一项所述的封...
【专利技术属性】
技术研发人员：请求不公布姓名，请求不公布姓名，请求不公布姓名，
申请(专利权)人：深圳鸿源博得新能源技术发展有限公司，
类型：发明
国别省市：
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