一种低温等离子体直接离子化样品的方法及其离子源技术

本发明专利技术公开了一种低温等离子体直接离子化样品的方法及其离子源。该离子源，包括绝缘介质管（１）、内电极（２）、外电极（３）、工作气进口（５）和等离子体炬焰出口（４），所述绝缘介质管为两端设有向内收缩开口的空心管，内电极为棒状电极或空心管状电极，外电极为管状电极；所述绝缘介质管的两端向内收缩开口，其中的一个开口为等离子体炬焰出口；所述内电极通过所述绝缘介质管的另一个开口套设于所述绝缘介质管，所述内电极的一端伸出绝缘介质管，另一端位于绝缘介质管内；所述外电极包覆于所述绝缘介质管外。本发明专利技术离子源在大气压条件下可以测定多种有机物，不仅离子化效率高，而且待测样品大小、形状、厚度不受限制，还适用于多种材质载体。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种低温等离子体直接离子化样品的方法及其离子源。
技术介绍
质谱技术是目前已知的最灵敏且应用范围最广的分析方法之一 ，该方法所使用 的质谱仪器包含离子源和质量分析器两个基本结构单元，其中，离子源是样品离子化技术进步的关键问题。目前，已经有多种离子源，如电子轰击离子源(EI)、化 学电离源(CI)、场致电离/场解吸电离源(FI/FD)、快原子轰击源(FAB)、电 喷雾电离源(ESI)、激光解析源(LD)、大气压化学电离源(APCI)等，这些离 子源在测定前，样品需要经过繁琐的预处理过程，样品不能直接快速解吸附离子化， 也就无法实现目标组分的连续、实时监测、高通量分析或成像分析。最近，解吸附 电喷雾离子化(DESI)、实时直接分析(DART)离子化和等离子体离子化技术(如 针-板结构的介质阻挡放电离子源DBDI、辉光放电离子源GD)的出现，为实现不 做任何处理，在各种样品表面实现常压下直接快速分析提供了可能性。但是，DESI 离子源需要高压电源构建高压静电场，使电喷雾毛细管前端容易发生电晕，高压也 限制了将离子源发展为手持并且直接对人体皮肤表面作无损快速分析的可能性；所本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种等离子体离子源，包括绝缘介质管（１）、内电极（２）、外电极（３）、工作气进口（５）和等离子体炬焰出口（４），其特征在于：所述绝缘介质管（１）为两端设有向内收缩开口的空心管，所述内电极（２）为棒状电极或空心管状电极，所述外电极（３）为管状电极；所述绝缘介质管（１）的两端向内收缩开口，其中的一个开口为等离子体炬焰出口（４）；所述内电极（２）通过所述绝缘介质管（１）的另一个开口套设于所述绝缘介质管（１），所述内电极（２）的一端伸出绝缘介质管（１），另一端位于绝缘介质管（１）内；所述外电极（３）包覆于所述绝缘介质管（１）外。

【技术特征摘要】
1、一种等离子体离子源，包括绝缘介质管(1)、内电极(2)、外电极(3)、工作气进口(5)和等离子体炬焰出口(4)，其特征在于所述绝缘介质管(1)为两端设有向内收缩开口的空心管，所述内电极(2)为棒状电极或空心管状电极，所述外电极(3)为管状电极；所述绝缘介质管(1)的两端向内收缩开口，其中的一个开口为等离子体炬焰出口(4)；所述内电极(2)通过所述绝缘介质管(1)的另一个开口套设于所述绝缘介质管(1)，所述内电极(2)的一端伸出绝缘介质管(1)，另一端位于绝缘介质管(1)内；所述外电极(3)包覆于所述绝缘介质管(1)外。2、 根据权利要求1所述的等离子体离子源，其特征在于所述等离子体源还 包括供电装置(6)，所述供电装置(6)为高压交流电源，所述内电极(2)和外电极(3) 与供电装置(6)电连接。3、 根据权利要求1所述的等离子体离子源，其特征在于所述绝缘介质管(1) 的管壁上设有一工作气进口 (5)，且位于所述外电极(3)的上方；所述内电极(2) 与所述绝缘介质管(1)的套接处密封。4、 根据权利要求l所述的等离子体离子源，其特征在于所述内电极(2)与 所述绝缘介质管(1)的套接处设有一工作气进口 (5)。5、 根据权利要求1-4中任一所述的等离子体离子源，其特征在于所述绝缘 介质管中作为等离子体炬焰出口 (4)的向内收縮开口的收縮角为90 — 150度。6、 根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：张新荣，张焱，杨成对，张四纯，马潇潇，文芳，
申请(专利权)人：清华大学，河南科技学院，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]