抗蚀剂组成物及图案形成方法技术

本发明专利技术涉及抗蚀剂组成物及图案形成方法。本发明专利技术的课题是提供使用高能射线的光学光刻中，感度、分辨度及LWR优良的抗蚀剂组成物，以及使用该抗蚀剂组成物的图案形成方法。本发明专利技术的解决手段是一种抗蚀剂组成物，包含下式(1)表示的锡化合物及有机溶剂，式中，R1A～R10A及R1B～R10B各自独立地为碳数1～20的烃基，R11～R14各自独立地为氢原子或碳数1～20的烃基，La1及La2各自独立地为连接基团。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是关于抗蚀剂组成物及图案形成方法。

技术介绍

1、随着iot市场的扩大，进一步寻求lsi的高集成化、高速度化及低消费电力化，图案规则的微细化正急速进展。尤其，逻辑器件引领着微细化。就最先进的微细化技术而言，arf浸润式光刻的双重图案化、三重图案化及四重图案化所为的10nm节点的器件的量产在进行中，下一代的波长13.5nm的极紫外线(euv)光刻所为的7nm节点器件的检讨正在进行。

2、随着微细化的进行，因酸扩散所致的图像的模糊成为了问题(非专利文献1)。为了确保于加工尺寸45nm一代之后的微细图案的分辨度，有人提出不仅过去所提案的溶解对比度的提升，酸扩散的控制亦为重要(非专利文献2)。然而，因化学增幅抗蚀剂组成物，是借由酸的扩散来提升感度及对比度，若尝试降低曝光后烘烤(peb)温度，或缩短时间来极度抑制酸扩散，则感度、对比度会显著降低。

3、添加产生立障大的酸的酸产生剂来抑制酸扩散是有效的。因此，有人提案了将具有聚合性烯烃的鎓盐的酸产生剂和聚合物共聚合。但是，据认为加工尺寸16nm一代之后的抗蚀剂膜的图案形成中，考量酸扩散本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种抗蚀剂组成物，包含下式(1)表示的锡化合物及有机溶剂，

2.根据权利要求1所述的抗蚀剂组成物，其中，La1及La2各自独立地为下式(2a)～(2d)中任一者表示的基团，

3.根据权利要求1所述的抗蚀剂组成物，其中，R1A～R10A及R1B～R10B为异丙基、正丁基、叔丁基或苄基。

4.根据权利要求1所述的抗蚀剂组成物，更包含表面活性剂。

5.一种图案形成方法，包含下列步骤：

6.根据权利要求5所述的图案形成方法，其中，该高能射线为电子束或极紫外线。

【技术特征摘要】

1.一种抗蚀剂组成物，包含下式(1)表示的锡化合物及有机溶剂，

2.根据权利要求1所述的抗蚀剂组成物，其中，la1及la2各自独立地为下式(2a)～(2d)中任一者表示的基团，

3.根据权利要求1所述的抗蚀剂组成物，其中，r1a～r10...

【专利技术属性】
技术研发人员：大桥正树，橘诚一郎，菊地骏，半田龙之介，
申请(专利权)人：信越化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：