本发明专利技术公开了聚碲氧烷在非化学放大光刻胶中的应用，该聚碲氧烷具有Te‑O链。其中Te元素对EUV的高吸收以及特殊的Te‑O主链，旨在实现优异的UV光刻(I‑line、KrF、ArF等)、电子束光刻和EUV光刻性能，尤其是解决兼顾高灵敏度、高分辨率、低线边缘粗糙度的EUV光刻胶难题。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及光刻胶，具体涉及聚碲氧烷在非化学放大型光刻胶中的应用。
技术介绍
1、光刻技术是半导体产业的基础，其本质是一种利用光化学反应产生微纳结构的技术。其中光刻胶通过曝光发生溶解度转变，曝光部分和未曝光部分的溶解度差异在特定的有机溶剂或水溶液中显影后，即可得到相应的微纳结构。其中曝光部分发生溶解的称为正性光刻胶，为曝光部分发生溶解的称为负性光刻胶。
2、随着摩尔定律的持续推进，集成电路对特征尺寸不断小型化的需求推动了光刻技术的发展。光刻技术的曝光波长先后经历了g-line(436nm)、i-line(365nm)、krf(248nm)、arf(193nm)，逐渐向更短波长发展。近几年来，极紫外(euv，13.5nm)光刻技术极大地促进了芯片制造产业的更新迭代，已成为最有前途的纳米级制造技术。然而，有限的euv光源功率和多层反射镜系统的能量损失对光刻胶的灵敏度提出了很高的要求。此外，euv的高分辨率图案化需要光刻胶材料也具备良好的分辨率和线边缘粗糙度。因此，开发适用于euv光刻的新型光刻胶仍然是一个巨大挑战。
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【技术保护点】
1.聚碲氧烷在非化学放大光刻胶中的应用，其特征在于，所述聚碲氧烷具有Te-O链。
2.根据权利要求1所述的应用，其特征在于，所述聚碲氧烷为如式(V)所示结构的单体组成的聚合物，
3.根据权利要求2所述的应用，其特征在于，所述聚碲氧烷具有如式(I)所示的结构：
4.根据权利要求2所述的应用，其特征在于，所述聚碲氧烷具有如式(III)所示的结构：
5.根据权利要求2所述的应用，其特征在于，所述聚碲氧烷具有如式(IV)所示的结构：
6.根据权利要求1-5任一项所述的应用，其特征在于，R1、R2分别独立地选自任选取代的C1-C12烷基、...
【技术特征摘要】
1.聚碲氧烷在非化学放大光刻胶中的应用，其特征在于，所述聚碲氧烷具有te-o链。
2.根据权利要求1所述的应用，其特征在于，所述聚碲氧烷为如式(v)所示结构的单体组成的聚合物，
3.根据权利要求2所述的应用，其特征在于，所述聚碲氧烷具有如式(i)所示的结构：
4.根据权利要求2所述的应用，其特征在于，所述聚碲氧烷具有如式(iii)所示的结构：
5.根据权利要求2所述的应用，其特征在于，所述聚碲氧烷具有如式(iv)所示的结构：
6.根据权利要求1-5任一项所述的应用，其特征在于，r1、r2...
【专利技术属性】
技术研发人员：许华平，奈舍·马克，周睿豪，曹木青，谭以正，
申请(专利权)人：清华大学，
类型：发明
国别省市：
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