化学增幅正型抗蚀剂组成物及抗蚀剂图案形成方法技术

本发明专利技术涉及化学增幅正型抗蚀剂组成物及抗蚀剂图案形成方法。本发明专利技术的课题为提供：可改善图案形成时的矩形性，且可获得LER、分辨性、图案忠实性及剂量宽容度经改善的抗蚀剂图案的化学增幅正型抗蚀剂组成物、及抗蚀剂图案形成方法。本发明专利技术的解决手段为一种化学增幅正型抗蚀剂组成物，包含：(A)包含下式(A)表示的鎓盐的淬灭剂；及(B)包含含有下式(B1)表示的重复单元，且会因为酸的作用而分解，在碱显影液中的溶解度会增大的聚合物的基础聚合物。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术关于化学增幅正型抗蚀剂组成物及抗蚀剂图案形成方法。

技术介绍

1、近年，伴随lsi的高整合化及高速度化，图案规则的微细化急速进展。其中，在0.2μm以下的图案的加工中，主要使用将酸作为催化剂的化学增幅抗蚀剂组成物。又，作为曝光源使用紫外线、远紫外线、电子束(eb)等高能射线，尤其被利用作为超微细加工技术的eb光刻，就制作半导体制造用的光掩膜时的空白光掩膜的加工方法而言亦为不可或缺。

2、大量带有具有酸性侧链的芳香族骨架的聚合物，例如聚羟基苯乙烯，作为使用krf准分子激光的krf光刻用抗蚀剂组成物的材料而言是有用的，但因为会对波长200nm附近的光表现大程度的吸收，故不会被使用作为使用arf准分子激光的arf光刻用抗蚀剂组成物的材料。但就为了形成比arf准分子激光所形成的加工极限更小的图案的有力技术的eb光刻用抗蚀剂组成物、极紫外线(euv)光刻用抗蚀剂组成物的材料而言，在获得高蚀刻耐性的观点是重要的材料。

3、通常，就正型的eb光刻用抗蚀剂组成物、euv光刻用抗蚀剂组成物的基础聚合物而言，主要使用将借由照射高能射线而从光酸本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种化学增幅正型抗蚀剂组成物，包含：

2.根据权利要求1所述的化学增幅正型抗蚀剂组成物，其中，RAL为下式(AL-1)或(AL-2)表示的基团；

3.根据权利要求1所述的化学增幅正型抗蚀剂组成物，其中，Z+为下式(cation-1)表示的锍阳离子、下式(cation-2)表示的錪阳离子或下式(cation-3)表示的铵阳离子；

4.根据权利要求1所述的化学增幅正型抗蚀剂组成物，其中，该鎓盐为下式(A1)表示者；

5.根据权利要求4所述的化学增幅正型抗蚀剂组成物，其中，该鎓盐为下式(A2)表示者；

6.根据权利要求1所述的化学...

【技术特征摘要】

1.一种化学增幅正型抗蚀剂组成物，包含：

2.根据权利要求1所述的化学增幅正型抗蚀剂组成物，其中，ral为下式(al-1)或(al-2)表示的基团；

3.根据权利要求1所述的化学增幅正型抗蚀剂组成物，其中，z+为下式(cation-1)表示的锍阳离子、下式(cation-2)表示的錪阳离子或下式(cation-3)表示的铵阳离子；

4.根据权利要求1所述的化学增幅正型抗蚀剂组成物，其中，该鎓盐为下式(a1)表示者；

5.根据权利要求4所述的化学增幅正型抗蚀剂组成物，其中，该鎓盐为下式(a2)表示者；

6.根据权利要求1所述的化学增幅正型抗蚀剂组成物，其中，该聚合物更包含选自于下式(b2-1)表示的重复单元及下式(b2-2)表示的重复单元中的至少1种；

7.根据权利要求1所述的化学增幅正型抗蚀剂组成物，其中，该聚合物更包含选自于下式(b3)表示的重复单元、下式(b4)表示的重复单元及下式(b5)表示的重复单元中的至少1种；

8.根据权利要求1所述的化学增幅正型抗蚀剂组成物，其中，该聚合物更包含选自于下式(b6)表示的重复单元、下式(b7)表示的重复单元、下式(b8)表示的重复单元、下式(b9)表示的重复单元、下式(b10)表示的重复单元、下式(b11)表示的重复单元、下式(b12)表示的重复单元及下式(b13)表示的重复单元中的至少1种；

9.根据权利要求1所述的化学增幅正型抗蚀剂组成物，其中，在该基础聚合物中所含的聚合物的所有重复单元...

【专利技术属性】
技术研发人员：增永惠一，渡边聪，福岛将大，小竹正晃，松泽雄太，
申请(专利权)人：信越化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：