本申请涉及半导体装置和制造半导体装置的方法。一种半导体装置可包括：第一半导体结构，其包括栅极结构和层叠物，栅极结构包括沟道结构，并且层叠物包括电容器；以及第二半导体结构，其接合到第一半导体结构，第二半导体结构包括外围电路。电容器可包括沿着形成在层叠物内的沟槽的内表面交替地层叠的导电层和介电层。
【技术实现步骤摘要】
实施方式涉及电子装置和制造电子装置的方法，更具体地，涉及一种半导体装置和制造半导体装置的方法。
技术介绍
1、半导体装置的集成度基本上由单位存储器单元所占据的面积确定。随着存储器单元作为单层形成在基板上的半导体装置的集成度的改进已达到其极限，提出了在基板上层叠存储器单元的三维半导体装置。此外，为了改进这种半导体装置的操作可靠性，正在开发各种结构和制造方法。
技术实现思路
1、在实施方式中，一种半导体装置可包括：第一半导体结构，其包括栅极结构和层叠物，栅极结构包括沟道结构，层叠物包括电容器；以及第二半导体结构，其接合到第一半导体结构，该第二半导体结构包括外围电路。电容器可包括沿着形成在层叠物内的沟槽的内表面交替地层叠的导电层和介电层。
2、在实施方式中，一种半导体装置可包括：层叠物，其包括交替地层叠的牺牲层和绝缘层；接触插塞，其延伸穿过层叠物；第一电容器，其设置在层叠物内，该第一电容器包括交替地层叠的第一导电层和第一介电层；第二电容器，其设置在层叠物内，该第二电容器包括交替地层叠的第二导电层和第二介本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种半导体装置，该半导体装置包括：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，该半导体装置还包括延伸穿过所述层叠物的接触插塞，该接触插塞连接到所述外围电路。
3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，所述接触插塞的高度与所述电容器的高度相同。
4.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，所述接触插塞具有小于所述电容器的宽度。
5.根据权利要求2所述的半导体装置，该半导体装置还包括：
6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，所述第一接触通孔和所述第二接触通孔设置在所述层叠物下方并且具有彼此相同的高度。
>7.根据权利要求5...
【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，该半导体装置包括：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，该半导体装置还包括延伸穿过所述层叠物的接触插塞，该接触插塞连接到所述外围电路。
3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，所述接触插塞的高度与所述电容器的高度相同。
4.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，所述接触插塞具有小于所述电容器的宽度。
5.根据权利要求2所述的半导体装置，该半导体装置还包括：
6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，所述第一接触通孔和所述第二接触通孔设置在所述层叠物下方并且具有彼此相同的高度。
7.根据权利要求5所述的半导体装置，该半导体装置还包括：
8.根据权利要求7所述的半导体装置，其中，所述第一布线和所述第二布线具有彼此相同的高度。
9.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，所述接触插塞和所述导电层包括钼。
10.根据权利要求1所述的半导体装置，该半导体装置还包括设置在所述栅极结构上的源极结构，该源极结构连接到所述沟道结构。
11.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述导电层和所述介电层中的每一个的厚度为至
12.根据权利要求1所述的半导体装置，
13.一种半导体装置，该半导体装置包括：
14.根据权利要求13所述的半导体装置，
15.根据权利要求14所述的半导体装置，其中，所述互连结构包括：
16.一种制造半导体装置的方法，该方法包括以下步骤：
17.根据权利要求16所述的方法，其中，当形成所述第一沟槽时，形成所述第二沟槽。
18.根据权利要求16所述的方法，该方法还包括以下步骤：在所述层叠物内形成各自包括沟道层和围绕所述沟道层的存储器层的沟道结构。
19.根据权利要求18所述的方法，该方法还包括以下步骤：
2...
【专利技术属性】
技术研发人员：李南宰，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：
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