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本申请涉及半导体装置和制造半导体装置的方法。一种半导体装置可包括：第一半导体结构，其包括栅极结构和层叠物，栅极结构包括沟道结构，并且层叠物包括电容器；以及第二半导体结构，其接合到第一半导体结构，第二半导体结构包括外围电路。电容器可包括沿着形...
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