【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体器件，特别是涉及一种逻辑与门器件及其制备方法、电子设备。
技术介绍
1、与门是数字逻辑中用于实现逻辑“乘”运算的电路，有两个以上输入端及一个输出端。仅当所有输入端都是高电平(逻辑“1”)时，输出才为高电平(逻辑“1”)，否则输出为低电平(逻辑“0”)。
2、由于与门是基本的逻辑门，半导体器件领域中通常会利用与门结构来生产集成电路。目前与门的实现方法包括使用互补金属氧化物半导体场效应晶体管(complementarymetal-oxi de-semiconductor transistor，简称cmos晶体管)、n型金属氧化物半导体场效应晶体管(n-type metal-oxide-semiconductor transistor，简称nmos晶体管)、p型金属氧化物半导体场效应晶体管(p-type metal-oxide-semiconductor transistor，简称pmos晶体管)及二极管实现等。
3、然而，目前与门结构的尺寸还有待进一步减小。
技术实现思路<
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【技术保护点】
1.一种逻辑与门器件，其特征在于，包括：至少两个输入端、一个输出端和一个晶体管；所述晶体管包括：至少两个栅极、一个源极、一个漏极以及连接所述源极和所述漏极的有源结构；其中，
2.根据权利要求1所述的逻辑与门器件，其特征在于，所述有源结构包括设置于衬底一侧的半导体层；所述第一方向平行于所述衬底表面；所述半导体层具有至少两个第一容置孔；
3.根据权利要求2所述的逻辑与门器件，其特征在于，所述漏极复用为所述输出端。
4.根据权利要求3所述的逻辑与门器件，其特征在于，
5.根据权利要求1所述的逻辑与门器件，其特征在于，所述有源结...
【技术特征摘要】
1.一种逻辑与门器件，其特征在于，包括：至少两个输入端、一个输出端和一个晶体管；所述晶体管包括：至少两个栅极、一个源极、一个漏极以及连接所述源极和所述漏极的有源结构；其中，
2.根据权利要求1所述的逻辑与门器件，其特征在于，所述有源结构包括设置于衬底一侧的半导体层；所述第一方向平行于所述衬底表面；所述半导体层具有至少两个第一容置孔；
3.根据权利要求2所述的逻辑与门器件，其特征在于，所述漏极复用为所述输出端。
4.根据权利要求3所述的逻辑与门器件，其特征在于，
5.根据权利要求1所述的逻辑与门器件，其特征在于，所述有源结构包括设置于衬底表面的半导体柱；所述第一...
【专利技术属性】
技术研发人员：宋艳鹏，王祥升，王海玲，刘晓萌，王桂磊，赵超，
申请(专利权)人：北京超弦存储器研究院，
类型：发明
国别省市：
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