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本申请涉及一种逻辑与门器件及其制备方法。所述逻辑与门器件，包括：至少两个输入端、一个输出端和一个晶体管；晶体管包括：至少两个栅极、一个源极、一个漏极以及连接源极和漏极的有源结构；其中，栅极和有源结构中的一者环绕另一者设置；至少两个栅极在第一...
该专利属于北京超弦存储器研究院所有，仅供学习研究参考，未经过北京超弦存储器研究院授权不得商用。

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