【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本文的描述涉及半导体制造领域，并且更具体地涉及可能对使用带电粒子束装置进行半导体晶片处理有用的晶片接地和偏压。
技术介绍
1、带电粒子束装置能够通过检测由带电粒子束装置产生的带电粒子束撞击晶片衬底表面时产生的次级电子、背散射电子、镜像电子或其他类型的电子来产生晶片衬底的二维图像。半导体工业中，各种带电粒子束装置用于半导体晶片，用于各种目的，诸如晶片处理(例如，电子束直写光刻系统)、工艺监控(例如，关键尺寸扫描电子显微镜(cd-sem))、晶片检查(例如，电子束检查系统)、缺陷分析(例如，缺陷检查sem、或dr-sem和聚焦离子束系统或fib)等。当这种装置执行其功能时，为了更好地成像，晶片衬底的电位可以保持在预定值或偏压。这可以通过将目标晶片衬底电连接，更具体地说，电阻连接到可编程dc电压源(例如，晶片偏压电源)来实现。当晶片衬底与带电粒子束相互作用时，可以实现电连接，在此过程中，过量的电荷被带到晶片衬底上。此过程可称为晶片偏压。
2、对于晶片偏压，通过使用一个或多个压在晶片衬底的背面表面的电触头，来自晶片偏压电源与晶片衬底...
【技术保护点】
1.一种带电粒子束装置，包括：
2.根据权利要求1所述的带电粒子束装置，其中所述控制器还被配置为：
3.根据权利要求2所述的带电粒子束装置，其中确定所述第一排除区域的位置包括：
4.根据权利要求1所述的带电粒子束装置，其中所述排除区域在所述表面的径向上具有至少1.5mm的尺寸。
5.根据权利要求1所述的带电粒子束装置，其中所述晶片具有第一电导率，所述涂层具有第二电导率，并且所述第一电导率高于所述第二电导率。
6.根据权利要求1所述的带电粒子束装置，其中所述第一排除区域包括所述涂层中的空隙，所述空隙暴露所述晶片...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种带电粒子束装置，包括：
2.根据权利要求1所述的带电粒子束装置，其中所述控制器还被配置为：
3.根据权利要求2所述的带电粒子束装置，其中确定所述第一排除区域的位置包括：
4.根据权利要求1所述的带电粒子束装置，其中所述排除区域在所述表面的径向上具有至少1.5mm的尺寸。
5.根据权利要求1所述的带电粒子束装置，其中所述晶片具有第一电导率，所述涂层具有第二电导率，并且所述第一电导率高于所述第二电导率。
6.根据权利要求1所述的带电粒子束装置，其中所述第一排除区域包括所述涂层中的空隙，所述空隙暴露所述晶片的所述表面上的区域。
7.根据权利要求1所述的带电粒子束装置，其中所述涂层在所述第一排除区域中具有第一厚度，在与所述第一排除区域相邻的区域中具有第二厚度，并且所述第二厚度大于所述第一厚度。
<...【专利技术属性】
技术研发人员：李瀛龙，N·J·M·博世，J·古森斯，吴爱民，H·阿斯加尔，陈添明，P·P·亨佩尼尤斯，柯翔，J·桑斯·莫卡德，张智，JG·C·范德托恩，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：
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