【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开的实施例总体涉及处理配件与处理腔室。具体言之，本公开的实施例涉及用于使用双部件下屏蔽件的先进封装处理腔室的处理配件。
技术介绍
1、当前，电容耦合等离子体(ccp)物理气相沉积(pvd)腔室与现有的先进封装平台不兼容。本公开提供可以结合到先进封装处理平台(例如，来自应用材料公司的平台)中的处理腔室。
2、传统处理腔室限于标准pvd技术。处理腔室主体包含闸门库(shutter garage)，其中对腔室的整体占地面积的其他改变很小。这允许将离子化pvd技术结合到群集工具环境中。
3、因此，本领域中存在对改良硬模与形成硬模的方法的持续需求。
技术实现思路
1、本公开的一个或多个实施例涉及用于处理腔室的处理配件。下屏蔽件(lowershield)具有环形主体，所述环形主体具有内壁与外壁，所述内壁与外壁限定下屏蔽件壁厚度。壁与底壁限定下屏蔽件高度。外凸耳壁从外壁的下部向外延伸至外凸耳外壁。下屏蔽环(lower shield ring)具有环形主体，所述环形主体具有外壁...
【技术保护点】
1.一种用于处理腔室的处理配件，所述处理配件包括：
2.如权利要求1所述的处理配件，其中所述下屏蔽件的所述外凸耳上顶面与所述下屏蔽件的所述外凸耳下顶面由外凸耳中间外壁分隔开。
3.如权利要求1所述的处理配件，其中所述内凸耳从所述下屏蔽件的所述内壁的上部向内延伸一距离至内凸耳面，从而形成内凸耳顶面与内凸耳底面，所述内凸耳顶面与所述内凸耳底面限定所述内凸耳的厚度。
4.如权利要求3所述的处理配件，进一步包括多个凹槽，所述多个凹槽在所述内凸耳顶面中，其中孔延伸穿过所述内凸耳的所述厚度。
5.如权利要求1所述的处理配件，其中所述...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种用于处理腔室的处理配件，所述处理配件包括：
2.如权利要求1所述的处理配件，其中所述下屏蔽件的所述外凸耳上顶面与所述下屏蔽件的所述外凸耳下顶面由外凸耳中间外壁分隔开。
3.如权利要求1所述的处理配件，其中所述内凸耳从所述下屏蔽件的所述内壁的上部向内延伸一距离至内凸耳面，从而形成内凸耳顶面与内凸耳底面，所述内凸耳顶面与所述内凸耳底面限定所述内凸耳的厚度。
4.如权利要求3所述的处理配件，进一步包括多个凹槽，所述多个凹槽在所述内凸耳顶面中，其中孔延伸穿过所述内凸耳的所述厚度。
5.如权利要求1所述的处理配件，其中所述下屏蔽环包括内壁斜坡连接器面，所述内壁斜坡连接器面从所述上内壁延伸到所述倾斜的壁。
6.如权利要求1所述的处理配件，其中所述倾斜的壁的所述下内壁具有的内直径小于所述上内壁的内直径。
7.如权利要求1所述的处理配件，其中所述外凸耳下顶面包括凹槽。
8.如权利要求7所述的处理配件，其中所述倾斜的壁的所述底面包括凹槽。
9.如权利要求8所述的处理配件，其中所述下屏蔽件的所述外凸耳下顶面中的所述凹槽与所述下内壁间隔开一距离，使得当所述下内壁与所述下屏蔽件的所述外凸耳中间外壁接触时，所述外凸耳下面中的所述凹槽与所述下屏蔽环的所述倾斜的壁的所述底面中的所述凹槽对准。
10.如权利要求1所述的处理配件，其中所述下屏蔽环包括三个开口，所述三个开口延伸穿过所述上内壁。
11.如权利要求10所述的处理配件，其中存在三个开口延伸穿过所述下屏蔽环的所述倾斜的壁。
12.如权利要求1所述的处理配件，其中当所述下屏蔽环的所...
【专利技术属性】
技术研发人员：A·M·卡玛斯，CH·M·蔡，M·科帕，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：
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